[發明專利]用于極紫外光輻射源設備的極紫外光收集器反射鏡及極紫外光輻射源設備

有效

• 申請號: 201910578340.5
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110658694B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 陳昱至;鄭博中;陳立銳;簡上傑;余昇剛;顏煒峻
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種用于極紫外光輻射源設備的極紫外光收集器反射鏡及極紫外光輻射源設備。用于極紫外光(EUV)輻射源設備的EUV收集器反射鏡包括：EUV收集器反射鏡主體，其上設置反射層作為反射表面；加熱器，附接到或嵌入EUV收集器反射鏡主體；以及排泄結構，用于將熔化的金屬從EUV收集器反射鏡主體的反射表面排泄到EUV收集器反射鏡主體的背側。

技術領域

本揭露涉及一種極紫外光收集器反射鏡及一種極紫外光輻射源設備。

背景技術

半導體集成電路(IC)工業已經歷指數增長。IC材料及設計的技術進展已經產生數代IC，其中每代皆比其前代具有更小且更復雜的電路。在IC發展過程中，功能密度(亦即，每晶片面積內互連元件的數量)通常已增加而幾何尺寸(亦即，可使用制造制程產生的最小部件(或接線))已減小。此按比例縮小制程通常通過增加生產效率并降低相關成本來提供益處。此種按比例縮小亦增加了處理及制造IC的復雜性。例如，對執行較高解析度微影制程的需求增長。一個微影技術是極紫外光微影(EUVL)。EUVL采用掃描器，此等掃描器使用極紫外光(EUV)區域中具有約1-100nm的波長的光。與一些光學掃描器類似，一些EUV掃描器提供4×縮小投影曬像，但EUV掃描器使用反射而非折射光學元件，亦即，以反射鏡替代透鏡。一種類型的EUV光源是激光產生電漿(LPP)。LPP技術通過將高功率激光光束聚焦到小的錫液滴靶上以形成發射EUV輻射(在13.5nm處具有峰值最大發射)的高度離子化的電漿來產生EUV光。EUV光隨后由LPP EUV收集器反射鏡收集并且由光學元件朝向微影靶(例如，晶圓)反射。歸因于粒子、離子、輻射、及(最嚴重的是)錫沉積的影響，LPP EUV收集器反射鏡經歷破壞及降級。

發明內容

本揭露提供一種用于極紫外光(EUV)輻射源設備的EUV收集器反射鏡包括：EUV收集器反射鏡主體，其上設置反射層作為反射表面；加熱器，附接到或嵌入EUV收集器反射鏡主體；以及排泄結構，用于將熔化的金屬從EUV收集器反射鏡主體的反射表面排泄到EUV收集器反射鏡主體的背側。

本揭露提供一種極紫外光(EUV)輻射源設備包括：EUV收集器反射鏡；靶液滴產生器，用于產生錫(Sn)液滴；可旋轉碎屑收集機構；以及腔室，至少包圍EUV收集器反射鏡及可旋轉碎屑收集機構。EUV收集器反射鏡包括：EUV收集器反射鏡主體，其上設置反射層作為反射表面；加熱器，附接到或嵌入EUV收集器反射鏡主體；以及排泄結構，用于將熔化的金屬從EUV收集器反射鏡主體的反射表面排泄到EUV收集器反射鏡主體的背側。

本揭露提供一種極紫外光(EUV)輻射源設備包括：EUV收集器反射鏡；靶液滴產生器，用于產生錫(Sn)液滴；可旋轉碎屑收集機構；腔室，至少包圍EUV收集器反射鏡及可旋轉碎屑收集機構；以及金屬再用系統。EUV收集器反射鏡包括：EUV收集器反射鏡主體，其上設置反射層作為反射表面；加熱器，附接到或嵌入EUV收集器反射鏡主體；以及排泄結構，用于將熔化的金屬從EUV收集器反射鏡主體的反射表面排泄到EUV收集器反射鏡主體的背側。將從排泄結構排泄的熔化金屬導引至金屬再用系統并且進一步提供到靶液滴產生器。

附圖說明

當結合隨附附圖閱讀時，自以下詳細描述將很好地理解本揭示案。應注意，根據工業中的標準實務，各個特征并非按比例繪制，并且僅出于說明目的而使用。事實上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各個特征的尺寸。

圖1是根據本揭示案的一些實施例構造的具有激光產生電漿(LPP)EUV輻射源的EUV微影系統的示意圖；

圖2A是根據本揭示案的一些實施例在EUV輻射源中使用的碎屑收集機構的示意性正視圖；圖2B是根據本揭示案的一些實施例在EUV輻射源中使用的碎屑收集機構的示意性側視圖；圖2C是根據本揭示案的一些實施例在EUV輻射源中使用的葉片的局部圖片；

圖3A繪示了在使用之后的其上沉積有錫碎屑的EUV收集器反射鏡，并且圖3B繪示了在清潔其表面之后的EUV收集器反射鏡；