[發(fā)明專利]用于極紫外光輻射源設(shè)備的極紫外光收集器反射鏡及極紫外光輻射源設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910578340.5
• 申請(qǐng)日: 2019-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN110658694B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳昱至;鄭博中;陳立銳;簡(jiǎn)上傑;余昇剛;顏煒峻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種用于一極紫外光(EUV)輻射源設(shè)備的EUV收集器反射鏡，其特征在于，包含：

一EUV收集器反射鏡主體，其上設(shè)置一反射層作為一反射表面；

一加熱器，附接到或嵌入該EUV收集器反射鏡主體，該加熱器配置以加熱與熔化沉積在該EUV收集器反射鏡主體的該反射表面上的一金屬；

一排泄結(jié)構(gòu)，用于將熔化的該金屬從該EUV收集器反射鏡主體的該反射表面排泄到該EUV收集器反射鏡主體的一背側(cè)，該排泄結(jié)構(gòu)包括在該反射表面處的一開口，該排泄結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在該開口的一底部處提供具有一EUV反射表面的一支撐件，該支撐件具有一曲率，使得在具有該EUV反射表面的該支撐件處反射的EUV輻射以及在該EUV收集器反射鏡主體上的該反射表面處反射的EUV輻射具有一相同的焦點(diǎn)；以及

一排泄孔，耦合到該排泄結(jié)構(gòu)，其中該排泄結(jié)構(gòu)與該排泄孔配置以使熔化的該金屬通過重力流過該排泄結(jié)構(gòu)到設(shè)置在該EUV收集器反射鏡的最低位置處的該排泄孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，該排泄結(jié)構(gòu)包括連接該開口與該排泄孔的一管道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，該開口是穿過該EUV收集器反射鏡主體的一狹縫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，該開口包括以一同心方式排列的多個(gè)開口，并且該多個(gè)開口是狹縫或溝槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，以一同心方式排列的該多個(gè)開口通過一主干管道連接，該主干管道在該EUV收集器反射鏡主體的該背側(cè)上或在該EUV收集器反射鏡主體中設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，該開口包括一主干管道以及從該主干管道分支的多個(gè)開口，并且該多個(gè)開口是狹縫或溝槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，該主干管道在該EUV收集器反射鏡主體的該背側(cè)上設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，該開口的一寬度是在從0.5mm至5mm的范圍中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV收集器反射鏡，其特征在于，進(jìn)一步包括用于控制該EUV收集器反射鏡主體的加熱的一加熱器控制器。

10.一種極紫外光(EUV)輻射源設(shè)備，其特征在于，包含：

一EUV收集器反射鏡；

一靶液滴產(chǎn)生器，用于產(chǎn)生一錫(Sn)液滴；

一可旋轉(zhuǎn)碎屑收集機(jī)構(gòu)；以及

一腔室，至少包圍該EUV收集器反射鏡及該可旋轉(zhuǎn)碎屑收集機(jī)構(gòu)，其中：

該EUV收集器反射鏡包括：

一EUV收集器反射鏡主體，其上設(shè)置一反射層作為一反射表面；

一加熱器，附接到或嵌入該EUV收集器反射鏡主體，該加熱器配置以加熱與熔化沉積在該EUV收集器反射鏡主體的該反射表面上的一金屬；

一排泄結(jié)構(gòu)，用于將熔化的該金屬從該EUV收集器反射鏡主體的該反射表面排泄到該EUV收集器反射鏡主體的一背側(cè)，該排泄結(jié)構(gòu)包括在該反射表面處的一開口，該排泄結(jié)構(gòu)包括在該開口的一底部處的一EUV反射表面，并且該EUV反射表面具有一曲率，使得在該EUV反射表面處反射的EUV輻射以及在該EUV收集器反射鏡主體上的該反射表面處反射的EUV輻射具有一相同的焦點(diǎn)；以及

一排泄孔，耦合到該排泄結(jié)構(gòu)，其中該排泄結(jié)構(gòu)與該排泄孔配置以使熔化的該金屬通過重力流過該排泄結(jié)構(gòu)到設(shè)置在該EUV收集器反射鏡的最低位置處的該排泄孔。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EUV輻射源設(shè)備，其特征在于：

該排泄結(jié)構(gòu)包括連接該開口與該排泄孔的一管道。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EUV輻射源設(shè)備，其特征在于，該開口包括以一同心方式排列的多個(gè)開口。

13.一種極紫外光(EUV)輻射源設(shè)備，其特征在于，包含：

一EUV收集器反射鏡；

一靶液滴產(chǎn)生器，用于產(chǎn)生一錫(Sn)液滴；

一可旋轉(zhuǎn)碎屑收集機(jī)構(gòu)；

一腔室，至少包圍該EUV收集器反射鏡及該可旋轉(zhuǎn)碎屑收集機(jī)構(gòu)；

一金屬再用系統(tǒng)，其中：

該EUV收集器反射鏡包括：

一EUV收集器反射鏡主體，其上設(shè)置一反射層作為一反射表面；

一加熱器，附接到或嵌入該EUV收集器反射鏡主體，該加熱器配置以加熱與熔化沉積在該EUV收集器反射鏡主體的該反射表面上的一金屬；

一排泄結(jié)構(gòu)，用于將熔化的該金屬從該EUV收集器反射鏡主體的該反射表面排泄到該EUV收集器反射鏡主體的一背側(cè)；以及

一排泄孔，耦合到該排泄結(jié)構(gòu)，其中該排泄結(jié)構(gòu)與該排泄孔配置以使熔化的該金屬通過重力流過該排泄結(jié)構(gòu)到設(shè)置在該EUV收集器反射鏡的最低位置處的該排泄孔；以及

一加熱管，用于將從該排泄孔排泄的熔化的該金屬導(dǎo)引至該金屬再用系統(tǒng)并且進(jìn)一步提供到該靶液滴產(chǎn)生器。