[發(fā)明專利]電路板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910577672.1
• 申請(qǐng)日: 2019-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN112153801B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉子建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 慶鼎精密電子（淮安）有限公司;鵬鼎控股（深圳）股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H05K1/18;H05K3/46
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 龔慧惠;唐芳芳

1.一種電路板，包括一主基板，其特征在于，所述主基板包括依次層疊設(shè)置的第一基板、第一絕緣層、第二基板、第二絕緣層、第三基板以及第三絕緣層，所述第一基板包括設(shè)置于靠近所述第二基板的表面的第一信號(hào)線路及一主動(dòng)元件，所述第二基板包括分別設(shè)置于所述第二基板相背兩表面的第二信號(hào)線路及第二屏蔽線路，所述第三基板包括分別設(shè)置于所述第三基板相背兩表面的第三信號(hào)線路和第三屏蔽線路以及與所述第三屏蔽線路同側(cè)設(shè)置的一被動(dòng)元件，所述第二屏蔽線路設(shè)置于所述第一信號(hào)線路及所述第二信號(hào)線路之間，所述第三屏蔽線路設(shè)置于所述第二信號(hào)線路及所述第三信號(hào)線路之間，所述主基板還包括至少兩個(gè)貫穿所述主基板的導(dǎo)電柱，所述第二屏蔽線路及第三屏蔽線路分別與兩個(gè)所述導(dǎo)電柱電性連接，所述第一信號(hào)線路、第二信號(hào)線路以及第三信號(hào)線路設(shè)置于兩個(gè)所述導(dǎo)電柱之間且與兩個(gè)所述導(dǎo)電柱間隔設(shè)置，所述主動(dòng)元件及所述被動(dòng)元件設(shè)置于兩個(gè)所述導(dǎo)電柱同一側(cè)，所述第一基板還包括第一傳輸線路以及兩個(gè)第一接觸墊，所述第一傳輸線路與所述第一信號(hào)線路設(shè)置于所述第一基板的同一表面，至少兩個(gè)所述第一接觸墊與所述第一傳輸線路設(shè)置于所述第一基板的同一表面，所述主動(dòng)元件與所述第一傳輸線路電性連接，所述第二基板相背的兩表面分別設(shè)置有至少兩個(gè)第二接觸墊，所述第三基板還包括第三傳輸線路及第三接觸墊，所述第三基板相背兩表面分別設(shè)置有至少一個(gè)所述第三接觸墊，所述第三傳輸線路與所述第三信號(hào)線路設(shè)置于所述第三基板的同一表面，所述第一絕緣層包括至少兩個(gè)貫穿所述第一絕緣層的第一導(dǎo)電膏，所述第二絕緣層包括至少一個(gè)貫穿所述第二絕緣層的第二導(dǎo)電膏，設(shè)置于所述第一基板靠近所述第二基板一側(cè)的所述第一接觸墊通過(guò)所述第一導(dǎo)電膏與設(shè)置于所述第二基板靠近所述第一基板一側(cè)的所述第二接觸墊電性連接，設(shè)置于所述第二基板靠近所述第三基板一側(cè)的所述第二接觸墊通過(guò)所述第二導(dǎo)電膏與設(shè)置于所述第三基板靠近所述第二基板一側(cè)的所述第三接觸墊電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述第一基板還包括至少兩個(gè)第一接觸墊，設(shè)置于不同表面的兩個(gè)所述第二接觸墊通過(guò)一第二導(dǎo)電孔電性連接，設(shè)置于不同表面的兩個(gè)所述第三接觸墊通過(guò)一第三導(dǎo)電孔電性連接。

3.如權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在于，所述第二屏蔽線路的至少部分設(shè)置于所述主動(dòng)元件與所述被動(dòng)元件之間，所述主基板還包括兩層屏蔽層，所述第三絕緣層覆蓋所述第三基板，一層所述屏蔽層設(shè)置于所述第三絕緣層遠(yuǎn)離所述第三基板的表面，另一層所述屏蔽層設(shè)置于所述第一基板遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的表面，所述屏蔽層與所述導(dǎo)電柱電性連接。

4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于，所述主動(dòng)元件的至少部分內(nèi)嵌于所述第一絕緣層中，所述被動(dòng)元件的至少部分內(nèi)嵌于所述第二絕緣層中。

5.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于，所述第一絕緣層包括一第一開口，所述主動(dòng)元件設(shè)置于所述第一開口中，所述第一開口中填充有一第一封裝層，所述主動(dòng)元件的至少部分內(nèi)嵌于所述第一封裝層中，所述第二絕緣層包括一第二開口，所述被動(dòng)元件設(shè)置于所述第二開口中，所述第二開口中填充有一第二封裝層，所述主動(dòng)元件的至少部分內(nèi)嵌于所述第二封裝層中。