[發明專利]一種具有多指漏極的光電探測器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201910577217.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110289273A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 金湘亮;曹勝果
• 申請（專利權）人: 湖南師范大學
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 湘潭市匯智專利事務所(普通合伙) 43108
• 代理人: 陳偉

1.一種具有多指漏極的光電探測器件，其特征在于：包括P型襯底，P型襯底上表面中間內嵌有圓柱形高壓深N阱，高壓深N阱上表面中間內嵌有圓柱形P阱，P型襯底與高壓深N阱形成二極管結構Ⅰ，高壓深N阱與P阱形成二極管結構Ⅱ；

所述P阱上表面中間設有多個同心的環形N+漏極，P阱上表面位于N+漏極外側設有1個環形P+源極，P+源極與位于最外側的N+漏極之間設有環形柵極，多個N+漏極與P阱形成PN結的感光結構；

所述P型襯底上表面位于高壓深N阱外側區域設有環形P+注入區作為P型襯底連接電極；所述高壓深N阱上表面位于P阱外側區域設有環形N+注入區作為高壓深N阱的連接電極。

2.根據權利1所述的具有多指漏極的光電探測器件，其特征在于：多個N+漏極與P+源極位于同一平面。

3.根據權利1所述的具有多指漏極的光電探測器件，其特征在于：所述P型襯底采用P型材料制成，P型材料為在硅中摻入元素周期表中第四族元素。

4.根據權利1所述的具有多指漏極的光電探測器件，其特征在于：所述高壓深N阱采用N型材料制成， N型材料為在硅中摻入元素周期表中第五族元素。

5.一種根據權利要求1-4中任一項所述的具有多指漏極的光電探測器件的制作方法，包括以下步驟：

步驟一：在P型襯底上生長二氧化硅層，在二氧化硅層上通過低壓化學氣象淀積方法淀積一層氮化硅層；

步驟二：通過第一次光刻，并進行磷離子Ⅰ注入，在P型襯底上形成一個高壓深N阱，并通過高溫退火，激活磷離子Ⅰ；

步驟三：通過第二次光刻，并進行輕摻雜的硼離子Ⅰ的注入，在高壓深N阱內形成P阱，并通過高溫退火 , 激活硼離子Ⅰ；

步驟四：通過第三次光刻，在P阱上形成柵極；

步驟五：通過第四次光刻，并進行重摻雜的磷離子Ⅱ的注入，在P阱內形成多個N+注入區作為多指漏極，并通過高溫退火，激活磷離子Ⅱ；

步驟六：通過第五次光刻，并進行重摻雜的磞離子Ⅱ的注入，在P阱內形成一個P+注入區作為源極，并通過高溫退火，激活磞離子Ⅱ；

步驟七：通過第六次光刻，并進行重摻雜的磷離子Ⅲ的注入，在高壓深N阱內形成一個N+注入區，作為高壓深N阱的連接電極；

步驟八：通過第七次光刻，并進行重摻雜的磞離子Ⅲ的注入，在P型襯底內形成一個P+注入區，作為P型襯底的連接電極。