[發明專利]納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置

有效

• 申請號: 201910576880.X
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110289363B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 陳卓;毛德豐
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;蔡麗

本發明涉及顯示領域，尤其涉及納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置。所述的納米粒子層圖案化的方法，包括以下步驟：形成修飾有第一基團的基板；采用光照處理所述基板的預設區域，所述預設區域內的所述第一基團在光照條件下反應，生成第二基團；在所述預設區域表面形成納米粒子層，所述預設區域內的第二基團與納米粒子的配體連接；去除納米粒子層的未與所述第二基團結合的納米粒子，完成納米粒子層的圖案化。本發明不需要采用噴墨打印法即可完成納米粒子層，特別是量子點層的圖案化，能夠形成高分辨率、性能良好的納米粒子層。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置。

背景技術

隨著量子點制備技術的深入發展，量子點的穩定性以及發光效率不斷提升，量子點電致發光二極管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不斷深入，QLED在顯示領域的應用前景日漸光明。但是，QLED的高分辨率圖案化(300ppi)技術目前還沒有取得突破，阻礙了QLED的商品化。

量子點是零維的納米半導體材料，量子點三個維度的尺寸都不大于其對應的半導體材料的激子玻爾半徑的兩倍，現有技術制造圖案化的量子點時，由于量子點的無機納米粒子特性，無法通過蒸鍍成膜并圖案化的方法制作圖案化的量子點。

相關技術一般通過噴墨打印法制作圖案化的量子點，而采用這種方法很難達到較高的分辨率。

同樣，與量子點性能相似的無機納米粒子，同樣無法按照相關技術形成圖案化的高分辨率膜層。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置；所述圖案化的方法可形成分辨率高的納米粒子層，應用于量子點發光器件中時，可形成分辨率高的量子點層。

本發明提供了一種納米粒子層圖案化的方法，包括以下步驟：

(S1)形成修飾有第一基團的基板；

(S2)采用光照處理所述基板的預設區域，所述預設區域內的所述第一基團在光照條件下反應，生成第二基團；

(S3)在所述預設區域表面形成納米粒子層，所述預設區域內的第二基團與納米粒子的配體連接；

(S4)去除納米粒子層的未與所述第二基團結合的納米粒子，完成納米粒子層的圖案化。

優選地，步驟(S1)具體為：

對基板直接進行改性，形成修飾有第一基團的基板；或者

在基板表面涂覆含有第一基團的化合物涂層，形成修飾有第一基團的基板。

優選地，所述第一基團為光照后生成氨基的基團或者光照后生成羥基的基團。

優選地，步驟(S3)中，通過光照或者加熱，所述預設區域內的第二基團與納米粒子的配體連接。

優選地，所述納米粒子的配體包括可與氨基或者羥基反應的基團。

優選地，所述納米粒子層為量子點層。

優選地，所述方法具體包括：

采用預設波長的光照射所述基板的第一預設區域；所述第一預設區域內的所述第一基團在光照條件下反應，生成第二基團；

在所述第一預設區域表面形成第一量子點層，所述基板的第一預設區域內的第二基團與第一量子點的配體連接；

去除所述第一量子點層的未與所述第二基團結合的第一量子點；

采用預設波長的光照射所述基板的第二預設區域；所述第二預設區域內的所述第一基團在光照條件下反應，生成第二基團；