[發(fā)明專利]一種表貼多通道小腔體封裝的光電隔離開關有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910576502.1 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110277983B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王四新;趙美星 | 申請(專利權)人: | 北京瑞普北光電子有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/94 | 分類號: | H03K17/94;H03K17/04;H03K17/16 |
| 代理公司: | 深圳市行一知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 44453 | 代理人: | 楊賢 |
| 地址: | 100000 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 表貼多 通道 小腔體 封裝 光電 隔離 開關 | ||
本發(fā)明公開了一種表貼多通道小腔體封裝的光電隔離開關,主要包括有管座、光發(fā)射層、光接收層、控制層和連接層。管座通道內(nèi)設置有光發(fā)射層,光發(fā)射層上固定連接有發(fā)光元件,光接收層設置于光發(fā)射層下方,光接收層上固定連接有受光元件,其中發(fā)光元件的發(fā)光面與受光元件的受光面相向設置。通過四層封裝形式的管座腔體結(jié)構(gòu),采用發(fā)光元件與受光元件相對設置形成上下結(jié)構(gòu)立體對射式實現(xiàn)小體積、多芯片、開通和關斷速度快、輸出端高耐壓及高可靠性。
技術領域
本發(fā)明涉及光電器件技術領域,特別涉及一種表貼多通道小腔體封裝的光電隔離開關。
背景技術
光電隔離開關是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件,它由發(fā)光二極管、光電二極管和MOS管組成。隨著中國航天事業(yè)的發(fā)展,航天用戶對光電器件的性能要求越來越高,光電隔離開關作為在多領域內(nèi)應用廣泛的一類光電器件,在航天領域內(nèi)也會經(jīng)常用到,因此對光電隔離開關的開通和關斷速度、輸出端耐壓、封裝體積和可靠性要求也日益突出。
現(xiàn)有的光電隔離開關類半導體器件集成化程度低、體積大、輸出端耐壓低、開通和關斷速度慢,用作航天器件時無法滿足適用要求,因此對器件小體積、開通和關斷速度快、輸出端高耐壓、高可靠性產(chǎn)品的需求迫在眉睫。
發(fā)明內(nèi)容
(一)發(fā)明目的
為克服上述現(xiàn)有技術存在的至少一種缺陷,實現(xiàn)小體積、多芯片、開通和關斷速度快、輸出端高耐壓及高可靠性,本發(fā)明公開了以下技術方案。
(二)技術方案
作為本發(fā)明的第一方面,本發(fā)明公開了一種表貼多通道小腔體封裝的光電隔離開關,包括:
具有多個通道的管座,所述每個通道內(nèi)設置有:
發(fā)光元件,所述發(fā)光元件安裝于光發(fā)射層;
受光元件,所述受光元件安裝于光接收層,所述光接收層位于光發(fā)射層下方,所述受光元件的受光面與所述發(fā)光元件的發(fā)光面相向設置;
控制元件,所述控制元件安裝于控制層,所述控制層位于所述光發(fā)射層下方,用于控制所述光電隔離開關的開通與斷開;
連接件,所述連接件設置于連接層上,所述連接層位于所述光發(fā)射層下方,用于器件與所述管座之間、器件與器件之間的連接。
在一種可能的實施方式中,所述控制層位于所述光接收層上方,所述連接層位于所述控制層的上方。
在一種可能的實施方式中,所述管座內(nèi)設置有隔離墻,相鄰兩個所述通道通過所述隔離墻隔離。
在一種可能的實施方式中,所述控制層上設置有兩個控制元件,兩個所述控制元件的導電通路設置相反。
在一種可能的實施方式中,所述通道中設置有七個金屬化區(qū)域,第一金屬化區(qū)域與第二金屬化區(qū)域為所述光發(fā)射層,第三金屬化區(qū)域與第四金屬化區(qū)域為所述控制層,第五金屬化區(qū)域與第六金屬化區(qū)域為所述連接層,第七金屬化區(qū)域為所述光接收層。
在一種可能的實施方式中,所述光發(fā)射層設置有內(nèi)瓷片,所述內(nèi)瓷片下表面燒結(jié)有發(fā)光元件。
在一種可能的實施方式中,所述受光元件與所述管座之間、所述控制元件與所述管座之間、所述受光元件與所述控制元件之間通過連接件連接。
在一種可能的實施方式中,該光電隔離開關還包括外蓋板,所述外蓋板與所述管座之間氣密性封裝。
在一種可能的實施方式中,所述受光元件為光伏芯片,所述發(fā)光元件為發(fā)光二極管,所述控制元件為VDMOS芯片,所述連接件為鍵合絲。
在一種可能的實施方式中,所述管座外部設置有16個電極引出線。
(三)有益效果
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