[發明專利]一種提高電池片效率的擴散工藝在審
| 申請號: | 201910574787.5 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110379885A | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 王奎;夏中雪;吳仕梁;路忠林;張鳳鳴 | 申請(專利權)人: | 徐州谷陽新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 賀翔 |
| 地址: | 221300 江蘇省徐州市邳*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池片效率 擴散工藝 推結 沉積 氮氣 太陽能電池片 間隙式擴散 低溫狀態 物理性質 低成本 規模化 磷元素 氧化層 補源 后區 量產 前區 死層 | ||
本發明提供一種提高電池片效率的擴散工藝,消除了磷元素梯度沉積的影響,減少反應前區磷在氧化層中的沉積,使得更多的磷能夠被氮氣帶入到反應后區,同時PN結的物理性質同時受推結時間和推結溫度的影響,第三步補源在低溫狀態進行,避免過多間隙式擴散增加死層。本發明工藝提出了一種用于非SE的太陽能電池片的可規模化,低成本的量產方法。
技術領域
本發明涉及光伏電池生產技術領域,尤其涉及一種提高電池片效率的擴散工藝。
背景技術
目前市場中的太陽能非SE電池片普遍采用的“兩步沉積(通源)+高溫推結”工藝,阻值控制在80-90Ω之間。在此基礎上,本公司也開展了擴散新工藝模式的研究,研發出“兩步沉積+高溫推結+一步降溫補源”工藝模式,這種技術的設計初衷是減少磷的擴散濃度,以此降低少子復合速率,再采用第三次低溫補源構造適當濃摻雜區域,用以降低與金屬柵線接觸的電阻。而降低了磷摻雜量、加入了第三步低溫補源,最直接的影響就是在方阻持平或略高的情況下提高了電池片的開壓、電流及效率(0.1%以上)。
發明內容
針對上述技術問題,本發明旨在提出一種新的提高電池片效率的擴散工藝,提高當前生產的太陽能電池片的效率,提高高效檔位占比。
本發明提出一種提高電池片效率的擴散工藝,包括以下步驟:
1.將待擴散的硅片放于擴散爐中,升溫至780℃;
2.待溫度穩定后,將爐內各溫區的溫度升至780-795℃,同時通入400sccm N2,1200sccm O2和500sccm用于攜帶POCl3的N2(暫不通磷源、PC計管路沖洗),時間為300s;
3.繼續將爐內各溫區的溫度控制在780-795℃,同時通入650sccm N2,700sccm O2和750sccm攜帶POCl3的N2,時間為300s;
4.溫度穩定后,將爐內各溫區的溫度升至800-815℃,同時通入1600sccm N2,500sccm用于攜帶POCl3的N2(暫不通磷源),時間為300s;
5.繼續將爐內各溫區的溫度控制在800-815℃,同時通入650sccm N2,700sccm O2和750sccm攜帶POCl3的N2,時間為250s;
6.將爐內各溫區的溫度升至820-835℃,通入1600sccm N2,500sccm用于攜帶POCl3的N2(暫不通磷源),時間為300s;
7.將爐內各溫區的溫度升至840-855℃,通入2100sccm N2,時間為300s;
8.將爐內各溫區的溫度升至850-865℃,通入2100sccm N2,時間為300s
9.將爐內各溫區的溫度降至810-825℃,通入600sccm N2,1000sccm O2和500sccm用于攜帶POCl3的N2(暫不通磷源),時間為600s;
10.繼續將爐內各溫區的溫度控制在810-825℃,通入650sccm N2,800sccm O2和500sccm攜帶POCl3的N2,時間為360s;
繼續降溫,回壓,取出硅片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





