[發明專利]一種提高電池片效率的擴散工藝在審
| 申請號： | 201910574787.5 | 申請日： | 2019-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN110379885A | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 王奎;夏中雪;吳仕梁;路忠林;張鳳鳴 | 申請（專利權）人： | 徐州谷陽新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人： | 賀翔 |
| 地址： | 221300 江蘇省徐州市邳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電池片效率 擴散工藝 推結 沉積 氮氣 太陽能電池片 間隙式擴散 低溫狀態 物理性質 低成本 規模化 磷元素 氧化層 補源 后區 量產 前區 死層 | ||
1.一種提高電池片效率的擴散工藝，其特征在于，所述擴散工藝包括以下步驟：
步驟一，將待擴散的硅片放于擴散爐中進行升溫，升溫至780℃；
步驟二，待溫度穩定后，將爐內各溫區的溫度升至780-795℃，同時通入400sccm N2,1200sccm O2和500sccm用于攜帶POCl3的N2；
步驟三，繼續將爐內各溫區的溫度控制在780-795℃，同時通入650sccm N2,700sccm O2和750sccm攜帶POCl3的N2；
步驟四，溫度穩定后，將爐內各溫區的溫度升至800-815℃，同時通入1600sccm N2,500sccm用于攜帶POCl3的N2；
步驟五，繼續將爐內各溫區的溫度控制在800-815℃，同時通入650sccm N2,700sccm O2和750sccm攜帶POCl3的N2；
步驟六，將爐內各溫區的溫度升至820-835℃，通入1600sccm N2,500sccm用于攜帶POCl3的N2；
步驟七，將爐內各溫區的溫度升至840-855℃，通入2100sccm N2；
步驟八，將爐內各溫區的溫度升至850-865℃，通入2100sccm N2；
步驟九，將爐內各溫區的溫度降至810-825℃，通入600sccm N2,1000sccm O2和500sccm用于攜帶POCl3的N2；
步驟十，繼續將爐內各溫區的溫度控制在810-825℃，通入650sccm N2,800sccm O2和500sccm攜帶POCl3的N2；
步驟十一，繼續降溫，回壓，取出硅片。
2.根據權利要求1所述的一種提高電池片效率的擴散工藝，其特征在于，步驟二、步驟三、步驟四、步驟六、步驟七、步驟八的反應時間為300s，步驟五的反應時間是250s，步驟九的反應時間是600s，步驟十的反應時間是360s。
3.根據權利要求1所述的一種提高電池片效率的擴散工藝，其特征在于，所述步驟二中，暫不通磷源，進行管路沖洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
