[發明專利]存儲器器件以及制造存儲器器件的方法

有效

• 申請號: 201910574417.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110660746B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 莊學理;江典蔚;劉國安;陳家庠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L43/02;H01L43/12;H05K9/00;G11C11/16
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

在一些實施例中，本申請提供一種存儲器器件。存儲器器件包含芯片，芯片包含磁性隨機存取存儲器(MRAM)單元。至少部分地包圍芯片的磁場屏蔽結構包含多層堆疊。多層堆疊包含磁性層和介電層。第一磁性區位于磁場屏蔽結構的內表面內部且第二磁性區直接位于磁場屏蔽結構的外表面外部。第一磁性區中的磁場小于第二磁性區中的磁場。

技術領域

本申請的實施例是有關于一種存儲器器件，且特別是有關于一種存儲器器件，且特別是有關于一種存儲器器件以及制造存儲器器件的方法。

背景技術

許多現代電子器件含有電子存儲器，例如硬盤驅動器或隨機存取存儲器(randomaccess memory；RAM)。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。非易失性存儲器能夠在不通電的情況下保持其存儲數據，而易失性存儲器在斷電時丟失其數據存儲器內容。磁性隧道結(Magnetic tunnel junctions；MTJs)可用于硬盤驅動器和/或磁性RAM(magnetic RAM；MRAM)中，且因此是針對新一代存儲器解決方案的有前景的候選項。

發明內容

在一些實施例中，本申請提供一種存儲器器件，包含：芯片，包含磁阻隨機存取內存(MRAM)單元；以及磁場屏蔽結構，至少部分地包圍芯片且包括磁性層和介電層。

在一些實施例中，本申請提供一種存儲器器件，包含：芯片，包含磁阻隨機存取內存(MRAM)單元，芯片包括上部面、底部面以及在上部面與底部面之間延伸的側壁；磁場屏蔽結構，至少部分地包圍芯片，包括多層堆疊，多層堆疊由磁性層和介電層構成，磁場屏蔽結構包括芯片的上部面上方的頂部區、芯片的底部面下方的底部區以及橫向地包圍芯片的側壁的側壁區，其中磁場屏蔽結構的側壁區存在開口中，電連接件延伸穿過開口且耦合到芯片，其中第一磁性區位于磁場屏蔽結構的內表面內部且第二磁性區位于磁場屏蔽結構的外表面的正外部，第一磁性區中的磁場小于第二磁性區中的磁場。

在一些實施例中，本申請提供一種制造存儲器器件的方法，所述方法包含：形成一或多個多層堆疊，其中多層堆疊包括磁性層和介電層；形成一或多個磁性層；裁剪一或多個多層堆疊和一或多個磁性層以符合封裝結構的尺寸，其中封裝結構包括包含磁阻隨機存取存儲器單元的芯片和包封芯片的絕緣材料，其中封裝結構的外表面包括絕緣材料；以及將裁切的一或多個多層堆疊和裁切的一或多個磁性層粘附到封裝結構的外表面。

附圖說明

結合附圖閱讀以下具體實施方式會最好地理解本公開的各方面。應注意，根據業界中的標準慣例，各種特征未按比例繪制。實際上，為了論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A、圖1B、圖1C示出根據一些實施例的包括芯片且使用磁場屏蔽結構的存儲器器件的一些實施例的透視圖，其中去除了前部部分以更清楚地描繪存儲器器件的內部部分，且圖1D示出圖1A、圖1B、圖1C的芯片的透視圖，其中去除了前部部分以更清楚地描繪芯片的內部部分。

圖1E示出根據一些實施例的包括芯片且使用磁場屏蔽結構的經封裝存儲器器件的一些實施例的透視圖，其中去除了前部部分以更清楚地描繪經封裝存儲器器件的內部部分。

圖2A到圖2C分別描繪包含根據一些實施例的使用磁場屏蔽結構的存儲器器件的圖1A到圖1C的頂視圖。

圖2D到圖2F分別描繪包含根據一些實施例的使用磁場屏蔽結構的存儲器器件的圖1A到圖1C的一些實施例的頂視圖。

圖3A到圖3C分別描繪包含根據一些實施例的使用磁場屏蔽結構的存儲器器件的圖2D到圖2F的一些實施例的橫截面視圖。

圖4A到圖4C分別描繪包含根據一些實施例的使用磁場屏蔽結構的存儲器器件的圖2D到圖2F的一些實施例的橫截面視圖。

圖5A到圖5C以及圖6A到圖6C分別描繪包含根據一些實施例的使用磁場屏蔽結構的存儲器器件的圖3A到圖3C以及圖4A到圖4C的一些實施例的橫截面視圖。