[發明專利]存儲器器件以及制造存儲器器件的方法

有效

• 申請號: 201910574417.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110660746B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 莊學理;江典蔚;劉國安;陳家庠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L43/02;H01L43/12;H05K9/00;G11C11/16
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

1.一種存儲器器件，其特征在于，包括：

芯片，包含磁阻隨機存取存儲器單元；以及

磁場屏蔽結構，至少部分地包圍所述芯片且包括磁性層和介電層，其中所述磁場屏蔽結構包括：

多個磁性材料條帶，布置在所述芯片的上部表面上方的平面中，每一磁性材料條帶具有的長度大于所述芯片的頂部表面的長度且具有的寬度小于所述芯片的所述頂部表面的寬度；以及

多個介電材料條帶，布置在所述平面中且將所述多個磁性材料條帶彼此分隔，每一所述介電材料條帶具有的長度大于所述芯片的所述頂部表面的所述長度且具有的寬度小于所述芯片的所述頂部表面的寬度。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述磁場屏蔽結構包括所述芯片的上部表面上方的頂部區、所述芯片的下部表面下方的底部區、在所述頂部區與所述底部區之間延伸的側壁區，其中電連接件延伸穿過所述側壁區且耦合到所述芯片。

3.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述磁場屏蔽結構包括：

第一多層堆疊，安置在所述芯片的上部表面上方的第一距離處；以及

第二多層堆疊，安置在所述芯片的下部表面下方的所述第一距離處，其中所述第二多層堆疊與所述第一多層堆疊相同。

4.根據權利要求3所述的存儲器器件，其特征在于，所述磁場屏蔽結構進一步包括由在所述第一多層堆疊與所述第二多層堆疊之間延伸的磁性材料制成的側壁區，其中所述側壁區安置在距所述芯片的側壁所述第一距離處。

5.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，進一步包括：

絕緣材料，包封所述芯片以定義出封裝結構，其中在所述封裝結構的外表面與所述磁場屏蔽結構的內表面之間存在非零距離，其中所述磁場屏蔽結構至少部分地包圍所述封裝結構。

6.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，進一步包括：

絕緣材料，包封所述芯片和所述磁場屏蔽結構，其中所述絕緣材料安置在所述芯片的外表面與所述磁場屏蔽結構的內表面之間，其中所述絕緣材料的外表面在所述磁場屏蔽結構的外表面的外部；以及電連接件，延伸穿過所述絕緣材料以使所述芯片電耦合到引線框，所述引線框配置成安裝到印刷電路板。

7.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述芯片是矩形，所述矩形包括頂部區、底部區以及包括四個區的側壁區，所述側壁區在所述頂部區與所述底部區之間延伸，其中所述磁場屏蔽結構覆蓋所述側壁區中的所述四個區的第一對、所述頂部區以及所述底部區，其中所述磁場屏蔽結構留下所述側壁區中的所述四個區的剩余一對暴露于磁場，其中所述磁場屏蔽結構將所述側壁區中的所述四個區的所述第一對、所述頂部區以及所述底部區與磁場屏蔽開。

8.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述芯片包括六個表面，其中所述磁場屏蔽結構至少覆蓋所述六個表面中的第一組兩個且留下所述六個表面中的第二組兩個暴露于磁場，所述六個表面中的所述第一組兩個平行，其中所述磁場屏蔽結構將所述六個表面中的所述第一組兩個與磁場屏蔽開。