[發明專利]硅襯底蝕刻溶液

有效

• 申請號: 201910573064.3
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110655924B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 柳浩成;文暎善;李浚銀;張平和
• 申請（專利權）人: OCI有限公司
• 主分類號: C09K13/08
• 分類號: C09K13/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;宋東穎

本發明涉及硅襯底蝕刻溶液，更加詳細地，涉及當蝕刻氮化硅膜時，與氧化硅膜相比可提高對氮化硅膜的蝕刻選擇比并提高高溫穩定性的硅襯底蝕刻溶液。

技術領域

本發明涉及硅襯底蝕刻溶液，更加詳細地，涉及當蝕刻氮化硅膜時，與氧化硅膜相比可提高對氮化硅膜的蝕刻選擇比并提高高溫穩定性的硅襯底蝕刻溶液。

背景技術

當前，用于蝕刻氮化硅膜和氧化硅膜的方法有多種，其中主要使用的方法為干式蝕刻方法和濕式蝕刻方法。

干式蝕刻方法通常是指利用氣體的蝕刻方法，具有各向同性優于濕式蝕刻方法的優點，但生產率遠低于濕式蝕刻方法且該方法昂貴，因而趨勢為廣泛使用濕式蝕刻方法。

一般而言，眾所周知的濕式蝕刻方法是將磷酸用作蝕刻溶液的方法。在此情況下，當僅使用純磷酸來蝕刻氮化硅膜時，隨著器件的微細化，除了氮化硅膜之外，還會蝕刻氧化硅膜，因而有可能發生各種不良以及圖案異常等問題，從而需要進一步降低氧化硅膜的蝕刻速度。

由此，近年來與磷酸一同使用硅添加劑，以增加氮化硅膜的蝕刻速度的同時降低氧化硅膜的蝕刻速度。

發明內容

發明所要解決的問題

本發明的目的在于，提供如下的硅襯底蝕刻溶液，即，可通過使用硅添加劑來與氧化硅膜相比提高對氮化硅膜的選擇比。

并且，本發明的目的在于，提供如下的硅襯底蝕刻溶液，即，通過使用高溫穩定性高的硅添加劑來可在高溫下防止硅添加劑分解并變色。。

用于解決問題的方案

為了解決上述技術問題，根據本發明一實施方式，提供包含磷酸及硅添加劑的硅襯底蝕刻溶液，上述硅添加劑包含由以下化學式1及化學式2表示的化合物中的至少一種：

化學式1：

化學式2：

其中，R₁及R₂各自獨立地為選自氫、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂環烷基、含有至少一個雜原子的C₂-C₁₀雜烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀鹵代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、雜芳基及芳烷基的官能團。

并且，R₃為選自氫、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂環烷基、含有至少一個雜原子的C₂-C₁₀雜烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀鹵代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、雜芳基及芳烷基的官能團。

并且，X，Y及Z各自獨立地為選自氫、硫酸根、磷酸根、醋酸根、鹵素及硝基的官能團，在此情況下，X，Y及Z中的至少一種不是氫，n為1至3之間的整數。

發明效果

本發明的硅襯底蝕刻溶液還可包含含氟化合物，在此情況下，上述含氟化合物可以是選自氟化氫、氟化銨、酸式氟化銨及氟化氫銨中的至少一種，或者是具有有機類陽離子與氟類陰離子離子結合的形態的化合物。