[發明專利]硅襯底蝕刻溶液

有效

• 申請號: 201910573064.3
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110655924B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 柳浩成;文暎善;李浚銀;張平和
• 申請（專利權）人: OCI有限公司
• 主分類號: C09K13/08
• 分類號: C09K13/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;宋東穎

1.一種硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸；以及

硅添加劑，包含由以下化學式1及化學式2表示的化合物中的至少一種：

化學式1：

化學式2：

相對于100重量份的上述硅襯底蝕刻溶液，上述磷酸的含量為60至90重量份，

上述硅襯底蝕刻溶液中的上述硅添加劑的含量為100ppm至10000ppm，

R₁及R₂各自獨立地為選自氫、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂環烷基、含有至少一個雜原子的C₂-C₁₀雜烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀鹵代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、雜芳基及芳烷基的官能團，

R₃為選自氫、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂環烷基、含有至少一個雜原子的C₂-C₁₀雜烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀鹵代烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、雜芳基及芳烷基的官能團，

X，Y及Z各自獨立地為選自氫、硫酸根、磷酸根、醋酸根、鹵素及硝基的官能團，在此情況下，X，Y及Z中的至少一種不是氫，

n為1至3之間的整數。

2.根據權利要求1所述的硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，當上述硅襯底蝕刻溶液中的由化學式1表示的硅添加劑的含量為500ppm至2000ppm時，上述硅襯底蝕刻溶液的蝕刻選擇比，即，氮化硅膜的蝕刻速度/氧化硅膜的蝕刻速度為300以上，上述蝕刻速度的單位是

3.根據權利要求1所述的硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，當上述硅襯底蝕刻溶液中的由化學式2表示的硅添加劑的含量為500ppm至2000ppm時，上述硅襯底蝕刻溶液的蝕刻選擇比，即，氮化硅膜的蝕刻速度/氧化硅膜的蝕刻速度為300以上，上述蝕刻速度的單位是

4.根據權利要求1所述的硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，還包含選自氟化氫、氟化銨及氟化氫銨中的至少一種含氟化合物。

5.根據權利要求1所述的硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，還包含具有有機陽離子與含氟陰離子離子結合的形態的含氟化合物。

6.根據權利要求5所述的硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，上述有機陽離子選自烷基銨、烷基吡咯鎓、烷基咪唑鎓、烷基吡唑鎓、烷基惡唑鎓、烷基噻唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基嘧啶鎓、烷基噠嗪鎓、烷基吡嗪鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基磷鎓、烷基嗎啉鎓及烷基哌啶鎓。

7.根據權利要求5所述的硅襯底蝕刻溶液，其特征在于，上述含氟陰離子選自氟磷酸酯、氟烷基-氟磷酸酯、氟硼酸酯及氟烷基-氟硼酸酯。