[發明專利]非易失性存儲器器件及其操作方法

在審

• 申請號: 201910572730.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN111081299A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 李潤烈;樸鐘哲;李瑟妃;林敬燮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/30;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種非易失性存儲器器件，包括：

第一存儲器堆疊，包括彼此垂直堆疊的多個第一存儲器單元；

第二存儲器堆疊，包括彼此垂直堆疊的多個第二存儲器單元，其中，所述第二存儲器堆疊垂直堆疊在所述第一存儲器堆疊上；以及

控制邏輯，被配置為基于在第一存儲器操作中施加到所述第一存儲器堆疊中的所述多個第一存儲器單元的第一存儲器單元的第一電壓，設置施加用于所述第二存儲器堆疊中的所述多個第二存儲器單元的第二存儲器單元的第二存儲器操作的第二電壓的電壓電平，

其中，使用所述第一電壓確定所述第一存儲器單元的單元特性。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器器件，

其中，通過獨立的溝道孔形成過程分別形成所述第一存儲器堆疊和所述第二存儲器堆疊。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器器件，

其中，控制邏輯配置為：

使用多個電壓對所述第一存儲器單元執行所述第一存儲器操作；

使用所述多個電壓中的所述第一電壓完成所述第一存儲器操作，其中，在所述第一電壓下確定所述第一存儲器單元的單元特性；

基于所述第一電壓設定所述第二電壓；以及

使用所述第二電壓對所述第二存儲器單元執行所述第二存儲器操作。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器器件，其中：

所述第一存儲器堆疊具有第一溝道孔，所述第二存儲器堆疊具有連接到所述第一溝道孔的第二溝道孔；

所述第一溝道孔的蝕刻輪廓與所述第二溝道孔的蝕刻輪廓基本相同；以及

所述第二溝道孔的底部的寬度小于所述第一溝道孔的頂部的寬度。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器器件，其中：

所述多個第一存儲器單元中的每一個根據所述第一存儲器堆疊中的多個第一至第N字線中的每一個的堆疊順序連接到第一至第N字線的對應字線；

所述多個第二存儲器單元中的每一個根據所述第二存儲器堆疊中的多個第(N+1)至第M字線中的每一個的堆疊順序連接到第(N+1)至第M字線的對應字線；

所述第一電壓是施加到連接到第k字線的所述第一存儲器單元的電壓；

所述第二電壓是施加到連接到第(k+N)字線的所述第二存儲器單元的電壓；

所述第k字線和第(k+N)字線分別位于所述第一存儲器堆疊和所述第二存儲器堆疊中的基本相同層；以及

N是1或更大的整數，M是大于N的整數，并且k是1和N之間的整數。

6.如權利要求5所述的非易失性存儲器器件，

其中，所述控制邏輯還被配置為將所述第二電壓的電壓電平設置為與所述第一電壓的電壓電平相同。

7.如權利要求5所述的非易失性存儲器器件，

其中，所述控制邏輯還被配置為將所述第二電壓的電壓電平設置為高于或低于所述第一電壓的電壓電平達到偏移。

8.如權利要求7所述的非易失性存儲器器件，

其中，所述控制邏輯還被配置為：

施加多個第一讀取電壓以對所述第一存儲器單元執行第一讀取操作，其中，所述第一讀取操作在所述多個第一讀取電壓的第一讀取電壓下完成；

施加多個第二讀取電壓以對所述第二存儲器單元執行第二讀取操作，其中，所述第二讀取操作在所述第二讀取操作的所述多個第二讀取電壓的第二讀取電壓下完成；以及

確定所述第一讀取電壓和所述第二讀取電壓之間的電壓電平差作為所述偏移。

9.如權利要求7所述的非易失性存儲器器件，

其中，所述控制邏輯被配置為：

施加多個第一編程電壓以對所述第一存儲器單元執行第一編程操作，其中，所述第一編程操作在所述多個第一編程電壓的第一編程電壓下完成；

施加多個第二編程電壓以對所述第二存儲器單元執行第二編程操作，其中，所述第二編程操作在所述多個第二編程電壓的第二編程電壓下完成；以及

確定所述第一編程電壓和所述第二編程電壓之間的電壓電平差作為所述偏移。