[發明專利]存儲器結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201910572544.8
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110265396B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 譚經綸
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括相對的第一面和第二面，所述襯底包括有源區和位于有源區周圍的隔離結構；

位于有源區第一面表面的柵極結構；

分別位于所述柵極結構兩側有源區內的源摻雜區和漏摻雜區；

位于所述襯底第一面上的電容結構，所述電容結構與所述源摻雜區電連接；

位于所述隔離結構內和所述襯底第一面上的字線結構，所述字線結構與所述柵極結構頂部電連接；

位于所述襯底第二面的開口內的位線結構，所述位線結構與所述漏摻雜區電連接。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述字線結構包括位于柵極結構頂部的第一導電插塞、位于隔離結構內的字線層、位于字線層表面的第二導電插塞以及連接第一導電插塞和第二導電插塞的導電層。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述第一導電插塞、所述第二導電插塞、所述導電層以及所述字線層的材料包括金屬；所述金屬包括銅、鎢、鋁、鈦、氮化鈦和鉭中的一種或多種組合。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線結構包括與漏摻雜區電連接的第三導電插塞以及位于第三導電插塞表面的位線層。

5.如權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述第三導電插塞和所述位線層的材料包括金屬，所述金屬包括銅、鎢、鋁、鈦、氮化鈦和鉭中的一種或多種組合。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述電容結構包括第一電極板、第二電極板以及位于第一電極板和第二電極板之間的介電層。

7.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，還包括：位于源摻雜區表面的第四導電插塞，所述第四導電插塞與所述電容結構電連接。

8.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述第一電極板和第二電極板的材料包括金屬，所述金屬包括銅、鎢、鋁、鈦、氮化鈦和鉭中的一種或多種組合；所述介電層材料的介電常數大于3.9，所述介電層的材料包括氧化鉿或氧化鋁。

9.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述漏摻雜區的部分側壁與所述隔離結構的部分側壁相接觸；所述源摻雜區的部分側壁與所述隔離結構的部分側壁相接觸。

10.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述柵極結構包括：位于襯底第一面表面的柵介質層、以及位于柵介質層表面的柵極層；所述字線結構與所述柵極層頂部電連接。

11.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：位于所述襯底第一面表面的介質層；所述柵極結構、電容結構和部分字線結構位于所述介質層內。

12.一種形成如權利要求1至11任一存儲器的方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括相對的第一面和第二面，所述襯底包括有源區和位于有源區周圍的隔離結構；

在所述襯底第一面表面形成柵極結構；

在所述柵極結構兩側襯底內形成源摻雜區和漏摻雜區；

在所述隔離結構內和所述襯底第一面上形成字線結構，所述字線結構與所述柵極結構頂部電連接；

在所述襯底第一面上形成電容結構，所述電容結構與所述源摻雜區電連接；

在所述襯底內形成開口，所述襯底第二面暴露出所述開口頂部表面；

在所述開口內形成位線結構，所述位線結構與所述漏摻雜區電連接。

13.如權利要求12所述的存儲器形成方法，其特征在于，在形成所述位線結構之前，還包括：對所述襯底的第二表面進行減薄。