[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910572307.1 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110660812A | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹永振;文重守;李哲坤;金陽完;陳昌奎 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 11641 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杜正國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電源線 第一層 絕緣 絕緣層 外圍區(qū)域 顯示區(qū)域 顯示裝置 電源線布置 顯示圖像 電連接 襯底 配置 | ||
公開了顯示裝置。顯示裝置包括襯底、第一電源線、第一絕緣層和第一絕緣壩,第一電源線布置在與配置成顯示圖像的顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域中,第一電源線包括第一層和布置在第一層上并且電連接到第一層的第二層,第一絕緣層布置在第一電源線的第一層與第二層之間,并且第一絕緣壩布置在第一電源線的第二層上并且與第一電源線的第二層接觸,第一絕緣壩布置在外圍區(qū)域中并且圍繞顯示區(qū)域。
技術領域
本發(fā)明的示例性實施方式通常涉及顯示裝置,并且更具體地,涉及具有形成在非顯示區(qū)域中的絕緣壩的顯示裝置。
背景技術
陰極射線管(CRT)顯示裝置由于其性能和有競爭力的價格已經(jīng)被廣泛使用。然而,CRT顯示裝置在尺寸和便攜性方面具有缺陷。由此,已開發(fā)出具有重量輕和尺寸小的顯示裝置并快速地替代CRT顯示裝置。更特別地,諸如等離子顯示裝置、液晶顯示裝置和有機發(fā)光顯示裝置的顯示裝置由于其比CRT顯示裝置更小的尺寸、更輕的重量和更低的功耗而備受推崇。
通常,顯示裝置包括顯示圖像的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍非顯示區(qū)域。在制造期間,由于工藝需要等,顯示裝置的外圍區(qū)域中可形成有絕緣壩。另外,顯示裝置可在外圍區(qū)域中包括多個布線以提供驅動顯示裝置所需的信號和電壓。然而,外部光可被布線反射,這可能使顯示裝置的可視性劣化。
在背景技術部分中公開的上述信息僅用于理解本發(fā)明概念的背景,并因此,其可能包含不構成現(xiàn)有技術的信息。
發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式構造的顯示設備包括具有剛性結構的絕緣壩,并且能夠抑制來自外圍區(qū)域中的布線的可視性的劣化。
本發(fā)明概念的額外的特征將在下面的描述中闡述,并且部分地將通過該描述而顯而易見,或者可通過實踐本發(fā)明概念而習得。
根據(jù)示例性實施方式的顯示裝置包括襯底、第一電源線、第一絕緣層和第一絕緣壩,第一電源線布置在與配置成顯示圖像的顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域中,第一電源線包括第一層和布置在第一層上并且電連接到第一層的第二層,第一絕緣層布置在第一電源線的第一層與第二層之間,并且第一絕緣壩布置在第一電源線的第二層上并且與第一電源線的第二層接觸,第一絕緣壩布置在外圍區(qū)域中并且圍繞顯示區(qū)域。
第一絕緣層可具有與第一絕緣壩重疊的開口,并且第一電源線的第一層和第二層可在第一絕緣層的開口中彼此接觸。
顯示裝置還可包括第一柵極圖案、第一柵極絕緣層和第二絕緣層,第一柵極圖案布置在襯底與第一電源線的第一層之間,第一柵極絕緣層布置在第一柵極圖案與第一電源線的第一層之間,并且第二絕緣層布置在第一電源線的第一層與第二層之間。
第一絕緣層可包括無機絕緣材料,并且第二絕緣層可包括有機絕緣材料。
第一柵極圖案可包括第一柵極扇出線和第一柵極連接線,第一柵極扇出線布置在外圍區(qū)域中,并且第一柵極連接線連接到第一柵極扇出線并且在第一柵極扇出線與顯示區(qū)域之間延伸,并且第一絕緣層和第二絕緣層可在第一柵極連接線上被開口以使得第一電源線的第一層與第一電源線的第二層接觸。
顯示裝置還可包括第二柵極圖案和第二柵極絕緣層,第二柵極圖案布置在第一柵極圖案與第一電源線的第一層之間,并且第二柵極絕緣層布置在第一柵極圖案與第二柵極圖案之間,其中,第二柵極圖案可包括第二柵極扇出線和第二柵極連接線,第二柵極扇出線布置在外圍區(qū)域中,并且第二柵極連接線布置在第二柵極扇出線與顯示區(qū)域之間并且連接到第二柵極扇出線,并且在平面圖中,第一柵極扇出線與第二柵極扇出線之間的間隙可小于第一柵極連接線與第二柵極連接線之間的間隙。
第二絕緣層可在第一柵極扇出線和第二柵極扇出線上布置在第一電源線的第一層與第二層之間,并且第一電源線的第二層的上表面可為基本上平坦的。
顯示裝置還可包括第二絕緣壩,第二絕緣壩在外圍區(qū)域中布置在第一絕緣層上,與第一絕緣壩間隔開,圍繞第一絕緣壩,并且具有比第一絕緣壩的高度更大的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





