[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910572307.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110660812A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹永振;文重守;李哲坤;金陽(yáng)完;陳昌奎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 11641 北京金宏來(lái)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杜正國(guó) |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電源線 第一層 絕緣 絕緣層 外圍區(qū)域 顯示區(qū)域 顯示裝置 電源線布置 顯示圖像 電連接 襯底 配置 | ||
1.顯示裝置,包括:
襯底;
第一電源線,所述第一電源線布置在與配置成顯示圖像的顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域中,所述第一電源線包括第一層和布置在所述第一層上并且電連接到所述第一層的第二層;
第一絕緣層,所述第一絕緣層布置在所述第一電源線的所述第一層與所述第二層之間;以及
第一絕緣壩,所述第一絕緣壩布置在所述第一電源線的所述第二層上并且與所述第一電源線的所述第二層接觸,所述第一絕緣壩布置在所述外圍區(qū)域中并且圍繞所述顯示區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一絕緣層具有與所述第一絕緣壩重疊的開(kāi)口;以及
所述第一電源線的所述第一層和所述第二層在所述第一絕緣層的所述開(kāi)口中彼此接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置,還包括:
第一柵極圖案,所述第一柵極圖案布置在所述襯底與所述第一電源線的所述第一層之間;
第一柵極絕緣層,所述第一柵極絕緣層布置在所述第一柵極圖案與所述第一電源線的所述第一層之間;以及
第二絕緣層,所述第二絕緣層布置在所述第一電源線的所述第一層與所述第二層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述第一絕緣層包括無(wú)機(jī)絕緣材料,并且所述第二絕緣層包括有機(jī)絕緣材料。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第一柵極圖案包括:
第一柵極扇出線,所述第一柵極扇出線布置在所述外圍區(qū)域中;以及
第一柵極連接線,所述第一柵極連接線連接到所述第一柵極扇出線并且在所述第一柵極扇出線與所述顯示區(qū)域之間延伸;以及
所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在所述第一柵極連接線上被開(kāi)口以使得所述第一電源線的所述第一層與所述第一電源線的所述第二層接觸。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置,還包括:
第二柵極圖案,所述第二柵極圖案布置在所述第一柵極圖案與所述第一電源線的所述第一層之間;以及
第二柵極絕緣層,所述第二柵極絕緣層布置在所述第一柵極圖案與所述第二柵極圖案之間,
其中,所述第二柵極圖案包括:
第二柵極扇出線,所述第二柵極扇出線布置在所述外圍區(qū)域中;以及
第二柵極連接線,所述第二柵極連接線布置在所述第二柵極扇出線與所述顯示區(qū)域之間,并且連接到所述第二柵極扇出線;以及
在平面圖中,所述第一柵極扇出線與所述第二柵極扇出線之間的間隙小于所述第一柵極連接線與所述第二柵極連接線之間的間隙。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第二絕緣層在所述第一柵極扇出線和所述第二柵極扇出線上布置在所述第一電源線的所述第一層與所述第二層之間;以及
所述第一電源線的所述第二層的上表面是平坦的。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括:
第二絕緣壩,所述第二絕緣壩在所述外圍區(qū)域中布置在所述第一絕緣層上,與所述第一絕緣壩間隔開(kāi),圍繞所述第一絕緣壩,并且具有比所述第一絕緣壩的高度更大的高度。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置,還包括:
第三絕緣壩,所述第三絕緣壩在所述外圍區(qū)域中布置在所述第一絕緣層上,與所述第二絕緣壩間隔開(kāi),圍繞所述第二絕緣壩,并且具有比所述第二絕緣壩的高度更大的高度。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置,還包括:
第一供電線,所述第一供電線布置在所述顯示區(qū)域中并且包括電連接到所述第一電源線的所述第一層的第一層以及電連接到所述第一電源線的所述第一層的第二層;
第二絕緣層,所述第二絕緣層布置在所述第一供電線的所述第一層與所述第二層之間;
第三絕緣層,所述第三絕緣層布置在所述第一供電線的所述第二層和所述第二絕緣層上;以及
像素限定層,所述像素限定層布置在所述第三絕緣層上,
其中,所述第一絕緣壩和所述像素限定層包括相同的材料。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





