[發(fā)明專利]一種IC芯片自控溫機(jī)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910571984.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110349862A | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張昕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津榮事順發(fā)電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/38 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 韓帥 |
| 地址: | 300402 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 主電路板 自控溫 半導(dǎo)體制冷陶瓷 熔點(diǎn) 電路板 錫膏 制備 焊接 粒子 輸出直流電壓 半導(dǎo)體制冷 表面金屬化 感溫功能 高度集成 陶瓷基片 陶瓷板 陶瓷片 封裝 | ||
本發(fā)明涉及一種IC芯片自控溫機(jī)構(gòu)及其制備方法,所述的方法包括如下步驟:S1、設(shè)計(jì)IC芯片具有設(shè)計(jì)功能外,同時(shí)包含有自身感溫功能和輸出直流電壓和電流的功能;S2、將主電路板和半導(dǎo)體制冷陶瓷片表面金屬化成相應(yīng)的電路板;S3、用熔點(diǎn)溫度高的錫膏將P粒子和N粒子焊接在主電路板陶瓷板和半導(dǎo)體制冷陶瓷片之間;S4、用熔點(diǎn)溫度低一些的錫膏將IC芯片焊接在主電路板陶瓷片上,該方法通過將自控溫IC芯片、半導(dǎo)體制冷、陶瓷基片有機(jī)的封裝結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)電路板高度集成和小型化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及IC芯片散熱技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種IC芯片自控溫機(jī)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)
電子產(chǎn)品工作時(shí),輸入功率只有一部分作有用功輸出,還有很多的電能轉(zhuǎn)化成熱能,使電子產(chǎn)品的無器件溫度升高。而元器件允許的工作溫度都是有限的,如果實(shí)際溫度超過了元器件的允許溫度,則元器件的性能會(huì)變壞,甚至燒毀。晶體管、電阻、電容、變壓器、印制電路板都是如此。尤其是晶體管,其最大的弱點(diǎn)是對(duì)溫度十分敏感。
溫度變化對(duì)電子電路的工作裝態(tài)、電路性能有影響。對(duì)于晶體管,其結(jié)溫越高,放大售數(shù)超高。此外溫度對(duì)晶體管的壽命也有影響。結(jié)溫過高將會(huì)降低晶體管的使用壽命。防止電子元器件的熱失效是熱控制的主要目的。熱失效是指電子元器件由于熱因素而導(dǎo)致完全失去其電氣功能的一種失效形式。電子產(chǎn)品控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基本任務(wù)是在熱源至外空間提供一條低熱阻的通道,保證熱量迅速傳遞出去,以便滿足可靠性的要求。
現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)電器散熱采用空間散熱,其存在的弊端:1、能量損耗大;
2、散熱風(fēng)扇長時(shí)間機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng),磨損,壽命有限;3、散熱風(fēng)扇電機(jī)本身散熱和摩擦生熱;4、空間內(nèi)不需要散熱的部件,處于散熱器件的較高溫度環(huán)境;設(shè)計(jì)中會(huì)增加設(shè)計(jì)難度和成本;5、隨著零部件小型化,現(xiàn)有的散熱器加風(fēng)扇的空間散熱方式很難做到與IC同樣小型化,在較小的空間內(nèi)甚至無法使用;6、現(xiàn)有的器件功率越來越大,備動(dòng)散熱和空間散熱的方式往往不能滿足更高的散熱速度;片溫度不可能低于30℃,對(duì)于要保持器件溫度低于20℃的要求,空間制冷不可能達(dá)到。8、特殊情況下,環(huán)境溫度太低時(shí)會(huì)影響器件的功作,空間散熱器不可能短時(shí)間內(nèi)提供加熱環(huán)境功能。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種IC芯片自控溫機(jī)構(gòu)及其制備方法,該機(jī)構(gòu)采用陶瓷電路板與IC芯片緊密接觸,利用陶瓷的絕緣和高的熱導(dǎo)率,使IC芯片與外部建立熱阻很小的散熱通道;采用半導(dǎo)體制冷方式,對(duì)IC芯片采用主動(dòng)散熱;通過IC芯片自身的傳感器感受結(jié)溫,并根據(jù)溫度的高低,IC芯片對(duì)半導(dǎo)體制冷部份通過輸出電流和停止輸出電流進(jìn)行啟動(dòng)和停止動(dòng)作,進(jìn)而提高電子產(chǎn)品壽命。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案予以實(shí)施:
一種IC芯片自控溫陶瓷電路機(jī)構(gòu)的制備方法,包括如下步驟:
S1、選取陶瓷基片,將包含IC芯片位置的電路圖層印制陶瓷基片表面上,所述陶瓷基片表面具有經(jīng)過金屬化處理的第一制冷電路圖層制成主電路板陶瓷片;
S2、選取陶瓷基片,所述陶瓷基片表面具有經(jīng)過金屬化處理的第二制冷電路圖層制成半導(dǎo)體制冷陶瓷片;
S3、在主電路板陶瓷片和半導(dǎo)體制冷陶瓷片之間通過P粒子和N粒子進(jìn)行焊接;
S4、將IC芯片焊接在主電路板陶瓷片電路圖層中相應(yīng)位置上。
本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)方案實(shí)施:
一種IC芯片自控溫陶瓷電路機(jī)構(gòu)的制備方法,包括如下步驟:
S1、選取陶瓷基片,將包含IC芯片位置的電路圖層印制陶瓷基片表面上,所述陶瓷基片表面具有經(jīng)過金屬化處理的第一制冷電路圖層制成主電路板陶瓷片;
S2、選取陶瓷基片,所述陶瓷基片表面具有經(jīng)過金屬化處理的第二制冷電路圖層制成半導(dǎo)體制冷陶瓷片;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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