[發明專利]一種IC芯片自控溫機構及其制備方法

在審

• 申請號: 201910571984.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110349862A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 張昕
• 申請（專利權）人: 天津榮事順發電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/38
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 韓帥

1.一種IC芯片自控溫陶瓷電路機構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、選取陶瓷基片，將包含IC芯片位置的電路圖層印制陶瓷基片表面上，所述陶瓷基片表面具有經過金屬化處理的第一制冷電路圖層制成主電路板陶瓷片；

S2、選取陶瓷基片，所述陶瓷基片表面具有經過金屬化處理的第二制冷電路圖層制成半導體制冷陶瓷片；

S3、在主電路板陶瓷片和半導體制冷陶瓷片之間通過P粒子和N粒子進行焊接；

S4、將IC芯片焊接在主電路板陶瓷片電路圖層中相應位置上。

2.一種IC芯片自控溫陶瓷電路機構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、選取陶瓷基片，將包含IC芯片位置的電路圖層印制陶瓷基片表面上，所述陶瓷基片表面具有經過金屬化處理的第一制冷電路圖層制成主電路板陶瓷片；

S2、選取陶瓷基片，所述陶瓷基片表面具有經過金屬化處理的第二制冷電路圖層制成半導體制冷陶瓷片；

S3、在主電路板陶瓷板和半導體制冷陶瓷片之間通過P粒子和N粒子進行焊接；

S4、將IC芯片焊接在主電路板陶瓷片電路圖層中相應位置上；

S5、將主電路板陶瓷片和半導體制冷陶瓷片進行封裝。

3.一種采用權利要求1制備方法構成的IC芯片自控溫陶瓷電路機構，由機構本體構成；其特征在于，所述機構本體包括主電路板陶瓷片和半導體制冷陶瓷片；所述主電路陶瓷片一側表面上設置有帶IC芯片的電路圖層；其另一側表面設置有第一制冷電路圖層；所述半導體陶瓷片表面上設置有第二制冷電路圖層；所述第一制冷電路圖層通過由P粒子和N粒子組成的連接層與所述第二制冷電路圖層連接。

4.一種采用權利要求1制備方法構成的IC芯片自控溫陶瓷電路機構，由機構本體構成；其特征在于，所述機構本體包括主電路板陶瓷片和半導體制冷陶瓷片；所述主電路陶瓷片一側表面上設置有帶IC芯片的電路圖層和第一制冷電路圖層；所述半導體制冷陶瓷片表面上設置有第二制冷電路圖層；所述第一制冷電路圖層通過由P粒子和N粒子組成的連接層與所述第二制冷電路圖層連接。

5.一種采用權利要求2制備方法構成的IC芯片自控溫陶瓷電路機構，由機構本體構成；其特征在于，所述機構本體包括主電路板陶瓷片和半導體制冷陶瓷片；所述主電路陶瓷片一側表面上設置有帶IC芯片的電路圖層；其另一側表面設置有第一制冷電路圖層；所述半導體制冷陶瓷片表面上設置有第二制冷電路圖層；所述第一制冷電路圖層通過由P粒子和N粒子組成的連接層與所述第二制冷電路圖層連接。

6.一種采用權利要求2制備方法構成的IC芯片自控溫陶瓷電路機構，由機構本體構成；其特征在于，所述機構本體包括主電路板陶瓷片和半導體制冷陶瓷片；所述主電路陶瓷片一側表面上設置有帶IC芯片的電路圖層和第一制冷電路圖層；所述半導體制冷陶瓷片表面上設置有第二制冷電路圖層；所述第一制冷電路圖層通過由P粒子和N粒子組成的連接層與所述第二制冷電路圖層連接。

7.根據權利要求1-6任一項所述的一種IC芯片自控溫陶瓷電路機構，其特征在于,所述IC芯片上設置有傳感器，所述IC芯片通過引腳與主電路板陶瓷片上的電路圖層相應部分連接。

8.根據權利要求7所述的一種IC芯片自控溫陶瓷電路機構，其特征在于,所述半導體制冷陶瓷片上還連接有散熱機構。

9.根據權利要求8所述的一種IC芯片自控溫陶瓷電路機構，其特征在于,所述陶瓷基片為氮化鋁陶瓷、氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷和氧化鈹陶瓷。

10.根據權利要求2、5或6任一項所述的一種IC芯片自控溫陶瓷電路機構的制備方法，其特征在于，所述主電路板陶瓷片和所述半導體制冷陶瓷片與整體封裝結構，所述IC芯片的引腳伸出所述主電路板陶瓷片與其他電路連接，所述半導體制冷陶瓷片上連接有散熱機構。