[發明專利]一種引線框架結構及其EMI封裝結構

在審

• 申請號: 201910571544.6
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110444515A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 周青云;沈錦新;周海峰
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L23/552
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波

本發明涉及一種引線框架結構及其EMI封裝結構，所述封裝結構包括包括引線框架，所述引線框架包括基島、引腳，所述基島包括外基島和內基島，所述引腳包括外引腳和內引腳，所述內基島上通過粘結性材料設置有芯片，所述芯片與內引腳之間通過金屬線相連接，所述基島、引腳和芯片外圍包封有塑封料形成塑封體，所述內基島四角位置通過導電線延伸到封裝體側面，所述引腳外側靠近封裝體側面通過蝕刻或激光刻蝕形成凹槽，所述凹槽將引腳外側與封裝體側面斷開，所述塑封料正面和四個側面設置有屏蔽層，所述基島通過導電線與屏蔽層相連接。本發明可使引線框架封裝體具備EMI電磁屏蔽需求，以滿足復雜電磁環境、5G市場下QFN類封裝體的電磁屏蔽要求。

技術領域

本發明涉及一種引線框架結構及其EMI封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

作為已公知的引線封裝如四方扁平引線(QFN)封裝，其產品上所有I/O引腳內引線端和相對的外引線端全部通過連桿(tie bar)連接至切割道上的引線框，封裝切割后連桿(tie bar)部分殘留在塑封體側壁。

隨著5G時代的臨近，半導體封裝器件處于更加復雜的電磁環境中，原無需電磁屏蔽需求的器件，也需要考慮來自外界其他高頻信號的干擾或影響。

現業界常規EMI屏蔽技術，在塑封體正面和四個側壁形成一層金屬導電EMI層，并接地，從而滿足產品電磁屏蔽需求。然而QFN類引線封裝器件，因其側壁有導電線連桿(tiebar)殘留，若側壁覆蓋上EMI金屬層，則導致所有引線全部短接，造成功能失效。

如何讓引線封裝器件(如QFN封裝)滿足日益復雜的電磁環境，是需要本技術領域急需解決的。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種引線框架結構及其EMI封裝結構，它可使引線框架封裝體具備EMI電磁屏蔽需求，以滿足復雜電磁環境、5G市場下QFN類封裝體的電磁屏蔽要求。

本發明解決上述問題所采用的技術方案為：一種引線框架結構，它包括基島、引腳和切割道金屬，所述基島包括外基島和內基島，所述引腳包括外引腳和內引腳，所述內基島四角位置通過導電線延伸到切割道金屬，所述內引腳通過導電線連桿與切割道金屬相連接。

更進一步的，所述導電線連桿的寬度小于等于引腳的寬度。

更進一步的，相鄰兩個內引腳之間設置有連接內基島和切割道金屬的導電桿。

一種引線框架EMI封裝結構，它包括引線框架，所述引線框架包括基島和引腳，所述基島包括外基島和內基島，所述引腳包括外引腳和內引腳，所述內基島上通過粘結性材料設置有芯片，所述芯片與內引腳之間通過金屬線相連接，所述基島、引腳和芯片外圍包封有塑封料形成封裝體，所述內基島四角位置通過導電線延伸到封裝體側面，所述引腳外側靠近封裝體側面通過蝕刻或激光刻蝕形成凹槽，所述凹槽將引腳外側與封裝體側面斷開，所述塑封料正面和四個側面設置有屏蔽層，所述基島通過導電線與屏蔽層相連接。

更進一步的，內基島四角位置通過導電線延伸到封裝體側面四個角。

更進一步的，封裝結構的外側面設置有一圈邊緣導電線，邊緣導電線與引腳不導通，屏蔽層與邊緣導電線相連接。

更進一步的，相鄰兩個內引腳之間設置有連接內基島和邊緣導電線的導電桿。

與現有技術相比，本發明的優點在于：

1、本發明可使引線框架封裝體具備電磁屏蔽需求，以滿足復雜電磁環境、5G市場下QFN類封裝體的電磁屏蔽要求；

2、本發明可將每個引腳通過導電桿間隔開，以降低減少單顆封裝體內部輸入/輸出線路間電磁信號互相干擾，提高產品電磁性能；