[發(fā)明專利]一種新型PoP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910567098.1 | 申請日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN110349861A | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李俊;葉懷宇;劉旭;裴明月;張國旗 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳第三代半導(dǎo)體研究院 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京中知法苑知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11226 | 代理人: | 李明 |
| 地址: | 518051 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 芯片本體 塑封體 焊接 電鍍金屬 金屬柱 錫球 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 焊點 連接可靠性 位置選擇性 傳統(tǒng)工藝 傳統(tǒng)錫球 倒裝芯片 封裝方式 高度集成 互聯(lián)結(jié)構(gòu) 開路缺陷 上表面 電鍍 頂層 貼合 制備 制作 | ||
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種新型PoP封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法,包括表面處理的塑封體(8),所述表面處理的塑封體(8)包括基板(1)、電鍍在基板(1)上的n個金屬柱(3)、貼合在所述基板(1)上的芯片本體(4)、從芯片本體(4)頂部引出的若干引線(7)及焊接在所述基板(1)上的倒裝芯片本體(5),其中n≥1;焊接在所述表面處理的塑封體(8)和金屬柱(3)上表面的錫球(9)和焊接在所述錫球(9)上的頂層芯片本體(10)。本發(fā)明通過采用電鍍金屬柱代替?zhèn)鹘y(tǒng)錫球作為互聯(lián)結(jié)構(gòu),避免了傳統(tǒng)工藝焊點開路缺陷,增加了連接可靠性;同時電鍍金屬柱的位置選擇性更多,適用于高度集成化的封裝方式。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種新型PoP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
當今半導(dǎo)體集成電路(Integrated Circuit,IC)已從傳統(tǒng)的計算機及通訊產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向便攜式移動設(shè)備及新一代的可穿戴設(shè)備。集成電路封裝技術(shù)隨之出現(xiàn)了新的趨勢,以應(yīng)對移動設(shè)備產(chǎn)業(yè)的特殊要求,如增加功能靈活性,降低成本和快速面世等;層疊封裝(Package on Package,PoP)就是針對移動設(shè)備的IC封裝而發(fā)展起來的可用于系統(tǒng)集成的非常受歡迎的三維疊加技術(shù)之一。層疊封裝的底層封裝一般是基帶元件或應(yīng)用處理器等,而上層封裝可以是存儲器等。
傳統(tǒng)PoP采用錫球作為上下層互聯(lián),依靠焊錫球液態(tài)下自身的表面張力形成焊球高度。這一高度必須大于底層封裝芯片和塑封厚度,否則就會出現(xiàn)焊點開路缺陷。在間距縮小,焊球直徑減小的情況下,這一高度要求難以滿足,必須開發(fā)新的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的采用錫球作為互聯(lián)結(jié)構(gòu),焊球高度難以大于底層封裝芯片和塑封厚度,導(dǎo)致焊點開路缺陷技術(shù)問題,提出一種電鍍金屬柱代替?zhèn)鹘y(tǒng)錫球的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種新型PoP封裝結(jié)構(gòu),包括:表面處理的塑封體8,所述表面處理的塑封體8包括基板1、電鍍在基板1上的n個金屬柱 3、貼合在所述基板1上的芯片本體4、從芯片本體4頂部引出的若干與所述基板1鍵合的引線7及焊接在所述基板1上的倒裝芯片本體5,其中n≥1,所述n 個金屬柱3頂部與所述塑封體8同高;
焊接在所述表面處理的塑封體8上表面和m個金屬柱3頂部的錫球9和焊接在所述錫球9頂部的頂層芯片本體10,其中m≤n。
優(yōu)選的,所述基板1為圖案化基板;所述表面處理的塑封體8為表面圖案化塑封體。
優(yōu)選的,所述n個金屬柱3的材料為銅、鎳、銀及其合金任一種。
一種如權(quán)利要求1所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S101、提供圖案化基板1;
S102、在所述圖案化基板1上制作干膜2;
S103、對所述干膜2進行圖案化和顯影,形成與干膜2同高的n個通孔,所述n個通孔制作到所述圖案化基板1的上表面;對所述n個通孔進行電鍍,形成n個金屬柱3,其中n≥1;
S104、去除所述干膜2,使所述n個金屬柱3突出設(shè)置在所述圖案化基板1 上;
S105、將芯片本體4貼合在所述圖形化基板1上,并從芯片頂部引出若干引線7與所述圖案化基板1進行鍵合;
S106、將倒裝芯片本體5焊接在所述圖案化基板1上;
S107、使用塑封料6對所述圖案化基板1和所述n個金屬柱3進行塑封,形成塑封體8;
S108、對所述塑封體8上表面進行研磨,露出所述n個金屬柱3頂部;
S109、所述塑封體8上表面進行圖案化,并進行表面處理;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





