[發(fā)明專利]一種新型PoP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910567098.1
• 申請(qǐng)日: 2019-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN110349861A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李俊;葉懷宇;劉旭;裴明月;張國旗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳第三代半導(dǎo)體研究院
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/065
• 代理公司: 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11226
• 代理人: 李明

1.一種新型PoP封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：表面處理的塑封體(8)，所述表面處理的塑封體(8)包括基板(1)、電鍍?cè)诨?1)上的n個(gè)金屬柱(3)、貼合在所述基板(1)上的芯片本體(4)、從芯片本體(4)頂部引出的若干與所述基板(1)鍵合的引線(7)及焊接在所述基板(1)上的倒裝芯片本體(5)，其中n≥1，所述n個(gè)金屬柱(3)頂部與所述塑封體(8)同高；

焊接在所述表面處理的塑封體(8)上表面和m個(gè)金屬柱(3)頂部的錫球(9)和焊接在所述錫球(9)頂部的頂層芯片本體(10)，其中m≤n。

2.一種如權(quán)利要求1所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板(1)為圖案化基板；所述表面處理的塑封體(8)為表面圖案化塑封體。

3.一種如權(quán)利要求1-3所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n個(gè)金屬柱(3)的材料為銅、鎳、銀及其合金任一種。

4.一種如權(quán)利要求1所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S101、提供圖案化基板(1)；

S102、在所述圖案化基板(1)上制作干膜(2)；

S103、對(duì)所述干膜(2)進(jìn)行圖案化和顯影，形成與干膜(2)同高的n個(gè)通孔，所述n個(gè)通孔制作到所述圖案化基板(1)的上表面；對(duì)所述n個(gè)通孔進(jìn)行電鍍，形成n個(gè)金屬柱(3)，其中n≥1；

S104、去除所述干膜(2)，使所述n個(gè)金屬柱(3)突出設(shè)置在所述圖案化基板(1)上；

S105、將芯片本體(4)貼合在所述圖形化基板(1)上，并從芯片頂部引出若干引線(7)與所述圖案化基板(1)進(jìn)行鍵合；

S106、將倒裝芯片本體(5)焊接在所述圖案化基板(1)上；

S107、使用塑封料(6)對(duì)所述圖案化基板(1)和所述n個(gè)金屬柱(3)進(jìn)行塑封，形成塑封體(8)；

S108、對(duì)所述塑封體(8)上表面進(jìn)行研磨，露出所述n個(gè)金屬柱(3)頂部；

S109、所述塑封體(8)上表面進(jìn)行圖案化，并進(jìn)行表面處理；

S110、在露出的m個(gè)金屬柱(3)頂部和表面處理的塑封體(8)上表面焊接n個(gè)錫球(9)，其中m≤n；

S111、在所述n個(gè)錫球(9)頂部焊接頂層芯片本體(10)。

5.一種如權(quán)利要求4所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，其中所述S108露出所述n個(gè)金屬柱(3)頂部方式為激光鉆孔。

6.一種如權(quán)利要求4所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，其中所述S103形成的所述n個(gè)金屬柱(3)與所述干膜(2)高度相同。

7.一種如權(quán)利要求4所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，其中所述S101、S103或S109中所述圖案化通過化學(xué)刻蝕方法完成。

8.一種如權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的新型PoP封裝結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述n個(gè)金屬柱(3)的材料為銅、鎳、銀及其合金任一種。