[發明專利]基板結構、封裝結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201910566619.1 | 申請日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN112151433A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 何崇文 | 申請(專利權)人: | 何崇文 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京世譽鑫誠專利代理有限公司 11368 | 代理人: | 仲伯煊 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 板結 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種基板結構、封裝結構及其制作方法。基板結構包括不銹鋼板、第一絕緣材料層以及第二絕緣材料層。不銹鋼板具有上表面與下表面以及連接上表面與下表面的側表面。上表面具有上中央區域及上周圍區域。下表面具有下中央區域及下周圍區域。第一絕緣材料層覆蓋不銹鋼板的上周圍區域、下周圍區域以及側表面。第二絕緣材料層連接第一絕緣材料層且覆蓋不銹鋼板的上中央區域以及下中央區域。第二絕緣材料層具有第一元件配置孔與第二元件配置孔。第一元件配置孔與第二元件配置孔分別暴露出不銹鋼板的部分上表面與部分下表面。上述的基板結構可重復使用,藉此進行的封裝結構的制作,具有較少的制作步驟且可有效地節省制作成本。
技術領域
本發明涉及一種基板、封裝結構及其制作方法,尤其涉及一種可重復使用的基板結構、采用此基板結構所制作出的封裝結構及其制作方法。
背景技術
一般來說,具有埋入式電子元件的線路基板是先將電子元件埋入于核心基板的槽孔內,而后在基板兩面形成增層線路層以與槽孔內的電子元件電性連接。采用此種方式所形成具有埋入式電子元件的線路基板,最后核心基板會成為最終產品的一部分,因此核心基板無法重復被使用,且最終產品的厚度也較厚,所用的材料較多,制程較長使成本變高。
發明內容
本發明是針對一種基板結構,可具有較佳的結構穩定性且可重復使用。
本發明是針對一種封裝結構的制作方法,使用上述的基板結構來進行制作,具有較少的制作步驟且可有效地節省制作成本。
本發明是針對一種封裝結構,使用上述的制作方法所制成的封裝結構,可具有較薄的厚度。
根據本發明的實施例,基板結構包括不銹鋼板、第一絕緣材料層以及第二絕緣材料層。不銹鋼板具有彼此相對的上表面與下表面以及連接上表面與下表面的側表面。上表面具有上中央區域及圍繞上中央區域的上周圍區域。下表面具有下中央區域及圍繞下中央區域的下周圍區域。第一絕緣材料層覆蓋不銹鋼板的上周圍區域、下周圍區域以及側表面并暴露出上中央區域及下中央區域。第二絕緣材料層連接第一絕緣材料層且覆蓋不銹鋼板的上中央區域以及下中央區域。第二絕緣材料層具有第一元件配置孔與第二元件配置孔。第一元件配置孔與第二元件配置孔分別暴露出不銹鋼板的部分上表面與部分下表面。
在根據本發明的實施例的基板結構中,第二絕緣材料層還具有多個第一盲孔與多個第二盲孔,其中多個第一盲孔圍繞第一元件配置孔且暴露出不銹鋼板的部分上表面,而多個第二盲孔圍繞第二元件配置孔且暴露出不銹鋼板的部分下表面。
在根據本發明的實施例的基板結構中,第一元件配置孔的孔徑與第二元件配置孔的孔徑大于第一盲孔的孔徑與第二盲孔的孔徑。
在根據本發明的實施例的基板結構中,第一絕緣材料層為防焊綠漆,而第二絕緣材料層為環氧樹脂或聚亞酰胺。
在根據本發明的實施例的基板結構中,第一絕緣材料層的材質與第二絕緣材料層的材質相同。
根據本發明的實施例,封裝結構的制作方法包括以下步驟。提供不銹鋼板。不銹鋼板具有彼此相對的上表面與下表面以及連接上表面與下表面的側表面。上表面具有上中央區域及圍繞上中央區域的上周圍區域。下表面具有下中央區域及圍繞下中央區域的下周圍區域。形成第一絕緣材料層于不銹鋼板上。第一絕緣材料層覆蓋不銹鋼板的上周圍區域、下周圍區域以及側表面并暴露出上中央區域及下中央區域。形成第二絕緣材料層于不銹鋼板上。第二絕緣材料層覆蓋不銹鋼板的上中央區域以及下中央區域。第二絕緣材料層具有第一元件配置孔與第二元件配置孔。第一元件配置孔與第二元件配置孔分別暴露出不銹鋼板的部分上表面與所述下表面。配置第一電子元件于第一元件配置孔內。形成第一線路結構于不銹鋼板的上表面上。第一線路結構與第一電子元件電性連接。分離基板結構與第一電子元件,且暴露出第一線路結構的第一下表面與第一電子元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





