[發明專利]基板結構、封裝結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201910566619.1 | 申請日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN112151433A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 何崇文 | 申請(專利權)人: | 何崇文 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京世譽鑫誠專利代理有限公司 11368 | 代理人: | 仲伯煊 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 板結 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種基板結構,其特征在于,包括:
不銹鋼板,具有彼此相對的上表面與下表面以及連接所述上表面與所述下表面的側表面,所述上表面具有上中央區域及圍繞所述上中央區域的上周圍區域,而所述下表面具有下中央區域及圍繞所述下中央區域的下周圍區域;
第一絕緣材料層,覆蓋所述不銹鋼板的所述上周圍區域、所述下周圍區域以及所述側表面并暴露出所述上中央區域及所述下中央區域;以及
第二絕緣材料層,連接所述第一絕緣材料層且覆蓋所述不銹鋼板的所述上中央區域以及所述下中央區域,所述第二絕緣材料層具有第一元件配置孔與第二元件配置孔,所述第一元件配置孔與所述第二元件配置孔分別暴露出所述不銹鋼板的部分所述上表面與部分所述下表面。
2.根據權利要求1所述的基板結構,其特征在于,所述第二絕緣材料層還具有多個第一盲孔與多個第二盲孔,其中所述多個第一盲孔圍繞所述第一元件配置孔且暴露出所述不銹鋼板的部分所述上表面,而所述多個第二盲孔圍繞所述第二元件配置孔且暴露出所述不銹鋼板的部分所述下表面。
3.根據權利要求2所述的基板結構,其特征在于,所述第一元件配置孔的孔徑與所述第二元件配置孔的孔徑大于所述多個第一盲孔的孔徑與所述多個第二盲孔的孔徑。
4.根據權利要求1所述的基板結構,其特征在于,所述第一絕緣材料層為防焊綠漆,而所述第二絕緣材料層為環氧樹脂或聚亞酰胺。
5.根據權利要求1所述的基板結構,其特征在于,所述第一絕緣材料層的材質與所述第二絕緣材料層的材質相同。
6.一種封裝結構的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板結構,包括:
提供不銹鋼板,所述不銹鋼板具有彼此相對的上表面與下表面以及連接所述上表面與所述下表面的側表面,所述上表面具有上中央區域及圍繞所述上中央區域的上周圍區域,而所述下表面具有下中央區域及圍繞所述下中央區域的下周圍區域;
形成第一絕緣材料層于所述不銹鋼板上,所述第一絕緣材料層覆蓋所述不銹鋼板的所述上周圍區域、所述下周圍區域以及所述側表面并暴露出所述上中央區域及所述下中央區域;以及
形成第二絕緣材料層于所述不銹鋼板上,所述第二絕緣材料層覆蓋所述不銹鋼板的所述上中央區域以及所述下中央區域,所述第二絕緣材料層具有第一元件配置孔與第二元件配置孔,所述第一元件配置孔與所述第二元件配置孔分別暴露出所述不銹鋼板的部分所述上表面與部分所述下表面;
配置第一電子元件于所述第一元件配置孔內;
形成第一線路結構于所述不銹鋼板的所述上表面上,其中所述第一線路結構與所述第一電子元件電性連接;以及
分離所述基板結構與所述第一電子元件,且暴露出所述第一線路結構的第一下表面與所述第一電子元件。
7.根據權利要求6所述的封裝結構的制作方法,其特征在于,還包括:
配置第二電子元件于所述第二元件配置孔內;
形成第二線路結構于所述不銹鋼板的所述下表面上,其中所述第二線路結構與所述第二電子元件電性連接;以及
分離所述基板結構與所述第二電子元件,且暴露出所述第二線路結構的第二下表面與所述第二電子元件。
8.根據權利要求7所述的封裝結構的制作方法,其特征在于,還包括:
于配置所述第一電子元件于所述第一元件配置孔內及配置所述第二電子元件于所述第二元件配置孔內之前,形成種子層于所述第一絕緣材料層、所述第二絕緣材料層、所述第一元件配置孔及所述第二元件配置孔上;以及
于分離所述基板結構與所述第一電子元件之后,移除所述種子層,以暴露出所述第一線路結構的所述第一下表面及所述第一電子元件。
9.根據權利要求8所述的封裝結構的制作方法,其特征在于,所述第一線路結構包括圖案化線路層、多個導電通孔及介電層,所述介電層覆蓋所述種子層與所述第一電子元件,而所述圖案化線路層位于所述介電層上,且所述多個導電通孔分別電性連接于所述第一電子元件的多個接墊與所述圖案化線路層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





