[發明專利]一種CMOS數據清除電路及計算機設備有效
| 申請號: | 201910566363.4 | 申請日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN110262647B | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 張雷;王文章;吳志宏;姜建平 | 申請(專利權)人: | 無錫睿勤科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/24 | 分類號: | G06F1/24 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cmos 數據 清除 電路 計算機 設備 | ||
1.一種CMOS數據清除電路,其特征在于,包括:
復位信號輸出電路、第一延時模塊、第二延時模塊、嵌入式控制器、CMOS數據清除模塊;
所述復位信號輸出電路用于輸出復位信號至所述第一延時模塊;
所述第一延時模塊包括第一開關、第一電阻、第二電阻、第一電容;
所述第一開關的第一端與所述復位信號輸出電路連接,所述第一開關的第二端與第一電阻連接,所述第一開關的第三端接地;
所述第二電阻的一端與第一電源連接,所述第二電阻的另一端與第一節點連接,所述第一節點為所述第一電阻與所述第一電容之間的節點;
所述第一電容的一端與所述第一節點連接,所述第一電容的另一端接地;
所述第一節點分別與所述嵌入式控制器和所述第二延時模塊連接;
所述第一延時模塊用于接收到所述復位信號并延時第一預設時長后,發送重啟信號至所述嵌入式控制器和所述第二延時模塊,所述第一預設時長是根據所述第二電阻和所述第一電容確定的;
所述第二延時模塊包括第二開關、第三電阻、第四電阻、第二電容;
所述第二開關的第一端與所述第一延時模塊連接,所述第二開關的第二端與第三電阻連接,所述第二開關的第三端接地;
所述第四電阻的一端與第二電源連接,所述第四電阻的另一端與第二節點連接,所述第二節點為所述第三電阻與所述第二電容之間的節點;
所述第二電容的一端與所述第二節點連接,所述第二電容的另一端接地;
所述第二節點與所述CMOS數據清除模塊連接;
所述第二延時模塊用于接收到所述重啟信號并延時第二預設時長后,發送清除信號至所述CMOS數據清除模塊,所述第二預設時長是根據所述第四電阻和所述第二電容確定的;
所述CMOS數據清除模塊用于在接收到所述清除信號時清除CMOS芯片中的數據。
2.如權利要求1所述的電路,其特征在于,所述復位信號輸出電路包括復位鍵;
在所述復位鍵閉合時,所述復位信號輸出電路輸出復位信號,所述復位信號為低電平。
3.如權利要求1所述的電路,其特征在于,所述第二延時模塊還包括第三電容;
所述第三電容的一端與所述第二開關的第一端連接,所述第三電容的另一端接地。
4.如權利要求1所述的電路,其特征在于,所述第一開關為第一MOS型場效應管,所述第一MOS型場效應管的柵極與所述復位信號輸出電路連接,所述第一MOS型場效應管的漏極與第一電阻連接,所述第一MOS型場效應管的源極接地;
所述第二開關為第二MOS型場效應管,所述第二MOS型場效應管的柵極與所述第一延時模塊連接,所述第二MOS型場效應管的漏極與第三電阻連接,所述第二MOS型場效應管的源極接地。
5.如權利要求1所述的電路,其特征在于,所述CMOS數據清除模塊包括第三開關;
所述第三開關的第一端與所述第二延時模塊連接,所述第三開關的第二端與CMOS芯片連接,所述第三開關的第三端接地。
6.如權利要求5所述的電路,其特征在于,所述第三開關為第三MOS型場效應管,所述第三MOS型場效應管的柵極與所述第二延時模塊連接,所述第三MOS型場效應管的漏極與CMOS芯片連接,所述第三MOS型場效應管的源極接地。
7.一種計算機設備,其特征在于,包括:權利要求1-6任一所述的CMOS數據清除電路。
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