[發明專利]一種薄膜晶體管及制作方法、GOA驅動電路和陣列基板

在審

• 申請號: 201910566273.5
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110289318A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 王玲;韓影;張星;林奕呈;徐攀;王國英;閆光
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

本發明公開一種薄膜晶體管，包括：形成在襯底上的緩沖層，所述緩沖層為導熱系數至少比SiO₂導熱系數大至少一個數量級的材料；形成在所述緩沖層上的有源層；形成在所述有源層上的柵極介電層；形成在所述柵極介電層上的柵極；層間介電層；第一通孔和第二通孔，貫穿所述層間介電層以露出所述有源層；形成在所述第一通孔和第二通孔內的源極和柵極。本發明能夠提高散熱性能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管及制作方法、GOA驅動電路和陣列基板。

背景技術

為了保證GOA驅動電路具有足夠大的驅動能力，現有技術中的基于氧化物TFT的GOA驅動電路經常會用到溝道的寬長比很大的設計(例如：2000u/4.5u)，但是由于IGZO(氧化銦鎵鋅)和玻璃的散熱系數都很低，因此這些大尺寸管子很容易在較大電流下燒毀。

發明內容

為解決背景技術中所提出的技術問題，本發明第一方面提出一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

形成在襯底上的緩沖層，所述緩沖層為導熱系數至少比SiO₂導熱系數大至少一個數量級的材料；

形成在所述緩沖層上的有源層；

形成在所述有源層上的柵極介電層；

形成在所述柵極介電層上的柵極；

層間介電層；

第一通孔和第二通孔，貫穿所述層間介電層以露出所述有源層；

形成在所述第一通孔和第二通孔內的源極和柵極。

可選的，還包括：

金屬遮擋層，形成在所述襯底和緩沖層之間；

第三通孔，貫穿所述層間介電層和所述緩沖層以露出所述金屬遮擋層；

金屬遮擋層引出部，形成在所述第三通孔內，與所述金屬遮擋層電連接。

可選的所述緩沖層的材料為氮化鋁。

可選的，所述金屬遮擋層的材料的導熱系數至少與所述緩沖層的材料的導熱系數同一數量級或更大。

可選的，所述金屬遮擋層的材料為銅或石墨烯。

本發明第二方面提出一種GOA驅動電路，包括：

襯底；

形成在襯底上的金屬遮擋層，所述金屬遮擋層覆蓋所述襯底；

形成在所述金屬遮擋層上的緩沖層，所述緩沖層為導熱系統至少比SiO₂大至少一個數量級的材料；

形成在所述緩沖層上的有源層；

形成在所述有源層上的柵極介電層；

形成在所述柵極介電層上的柵極；

層間介電層；

第一通孔和第二通孔，貫穿所述層間介電層以露出所述有源層；

形成在所述第一通孔和第二通孔內的源極和漏極；

第三通孔，貫穿所述層間介電層和所述緩沖層以露出所述金屬遮擋層；

金屬遮擋層引出部，形成在所述第三通孔內，與所述金屬遮擋層電連接。

可選的，所述金屬遮擋層引出部上的電位小于源極電位。

本發明第三方面提出一種GOA驅動電路，包括：

襯底；

第一類薄膜晶體管，包括：