[發明專利]一種薄膜晶體管及制作方法、GOA驅動電路和陣列基板

在審

• 申請號: 201910566273.5
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110289318A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 王玲;韓影;張星;林奕呈;徐攀;王國英;閆光
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

形成在襯底上的緩沖層，所述緩沖層為導熱系數至少比SiO₂導熱系數大至少一個數量級的材料；

形成在所述緩沖層上的有源層；

形成在所述有源層上的柵極介電層；

形成在所述柵極介電層上的柵極；

層間介電層；

第一通孔和第二通孔，貫穿所述層間介電層以露出所述有源層；

形成在所述第一通孔和第二通孔內的源極和柵極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

金屬遮擋層，形成在所述襯底和緩沖層之間；

第三通孔，貫穿所述層間介電層和所述緩沖層以露出所述金屬遮擋層；

金屬遮擋層引出部，形成在所述第三通孔內，與所述金屬遮擋層電連接。

3.根據權利要求1或2中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述緩沖層的材料為氮化鋁。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述金屬遮擋層的材料的導熱系數至少與所述緩沖層的材料的導熱系數同一數量級或更大。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬遮擋層的材料為銅或石墨烯。

6.一種GOA驅動電路，其特征在于，包括：

襯底；

形成在襯底上的金屬遮擋層，所述金屬遮擋層覆蓋所述襯底；

形成在所述金屬遮擋層上的緩沖層，所述緩沖層為導熱系統至少比SiO₂大至少一個數量級的材料；

形成在所述緩沖層上的有源層；

形成在所述有源層上的柵極介電層；

形成在所述柵極介電層上的柵極；

層間介電層；

第一通孔和第二通孔，貫穿所述層間介電層以露出所述有源層；

形成在所述第一通孔和第二通孔內的源極和漏極；

第三通孔，貫穿所述層間介電層和所述緩沖層以露出所述金屬遮擋層；金屬遮擋層引出部，形成在所述第三通孔內，與所述金屬遮擋層電連接。

7.根據權利要求6所述的GOA驅動電路，其特征在于，

所述金屬遮擋層引出部上的電位小于源極電位。

8.一種GOA驅動電路，其特征在于，包括：

襯底；

第一類薄膜晶體管，包括：

形成在所述襯底上的第一緩沖層，所述第一緩沖層為導熱系數至少比SiO₂導熱系數大至少一個數量級的材料；

形成在所述第一緩沖層上的第一有源層，所述第一有源層的溝道的寬長比小于預設值；

形成在所述第一有源層上的第一柵極介電層；

形成在所述第一柵極介電層上的第一柵極；

第一層間介電層；

第一通孔和第二通孔，貫穿所述第一層間介電層以露出所述第一有源層；

形成在所述第一通孔和第二通孔內的第一源極和第一漏極，和

第二類薄膜晶體管，包括

形成在所述襯底上的金屬遮擋層；

形成在所述金屬遮擋層上的第二緩沖層，所述第二緩沖層為導熱系數至少比SiO₂導熱系數大至少一個數量級的材料；

形成在所述第二緩沖層上的第二有源層，所述第二有源層的溝道的寬長比大于等于所述預設值；

形成在所述第二有源層上的第二柵極介電層；

形成在所述第二柵極介電層上的第二柵極；

第二層間介電層；

第三通孔和第四通孔，貫穿所述第二層間介電層以露出所述第二有源層；

形成在所述第三通孔和第四通孔內的第二源極和第二漏極；

第五通孔，貫穿所述第二層間介電層和所述第二緩沖層以露出所述金屬遮擋層；

金屬遮擋層引出部，形成在所述第五通孔內，與所述金屬遮擋層電連接。

9.根據權利要求8所述的GOA驅動電路，其特征在于，

所述第二類薄膜晶體管的金屬遮擋層引出部與其柵極等電位。