[發明專利]薄膜晶體管驅動背板及其制備方法、顯示面板在審
| 申請號: | 201910565839.2 | 申請日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN110289307A | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發明(設計)人: | 趙策;王明;胡迎賓;宋威;黃勇潮;閆梁臣;倪柳松;丁遠奎 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 薄膜晶體管 襯底 驅動背板 半導體材料 導體材料 顯示面板 漏極 源層 源極 制備 絕緣層 層間絕緣層 產品良率 依次設置 柵絕緣層 導體化 通過層 正投影 段差 | ||
本發明實施例提供一種薄膜晶體管驅動背板及其制備方法、顯示面板,涉及顯示技術領域,可提升產品良率。一種薄膜晶體管驅動背板,包括:第一襯底、設置于第一襯底上的薄膜晶體管;薄膜晶體管包括:依次設置于第一襯底上的有源層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層以及源極和漏極;有源層包括第一圖案、位于第一圖案兩側的第二圖案,第一圖案的材料為半導體材料,第二圖案的材料為導體材料,且該導體材料為對半導體材料進行導體化得到;第一圖案與柵極在第一襯底上的正投影重疊,且第一圖案與第二圖案具有段差;源極和漏極分別至少通過層間絕緣層上的第一過孔和第二過孔,與第一圖案兩側的第二圖案接觸。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種薄膜晶體管驅動背板及其制備方法、顯示面板。
背景技術
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)是目前顯示裝置中的主要開關元件,直接關系到高性能顯示裝置的發展方向。其中,頂柵型薄膜晶體管具有短溝道的特點,能夠有效提升開態電流,并降低功耗,從而顯著提升顯示效果,因此越來越受到人們的關注。
發明內容
本發明的實施例提供一種薄膜晶體管驅動背板及其制備方法、顯示面板,可提升產品良率。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面,提供一種薄膜晶體管驅動背板,包括:第一襯底、設置于所述第一襯底上的薄膜晶體管;所述薄膜晶體管包括:依次設置于所述第一襯底上的有源層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層以及源極和漏極;所述有源層包括第一圖案、位于所述第一圖案兩側的第二圖案,所述第一圖案的材料為半導體材料,所述第二圖案的材料為導體材料,且該導體材料為對所述半導體材料進行導體化得到;所述第一圖案與所述柵極在所述第一襯底上的正投影重疊,且所述第一圖案與所述第二圖案具有段差;所述源極和所述漏極分別至少通過所述層間絕緣層上的第一過孔和第二過孔,與所述第一圖案兩側的所述第二圖案接觸。
可選的,相對于所述第二圖案,所述第一圖案朝向所述第一襯底一側凹陷。
可選的,上述的薄膜晶體管驅動背板還包括設置于所述第一襯底上表面的輔助層,所述薄膜晶體管設置于所述輔助層的上表面;所述輔助層在所述第一襯底上的正投影覆蓋所述有源層在所述第一襯底上的正投影;所述輔助層在與所述第二圖案重疊的區域中的上表面,和與所述第一圖案重疊的區域中的上表面具有高度差;所述第一襯底的厚度均勻。
可選的,所述輔助層的材料為透明絕緣材料或者不透明絕緣材料。
可選的,所述輔助層包括沿所述第一襯底厚度方向層疊設置且接觸的金屬遮光層和緩沖層,所述金屬遮光層設置于所述緩沖層與所述第一襯底之間;所述金屬遮光層與所述第二圖案重疊的區域中的上表面,和與所述第一圖案重疊的區域中的上表面具有高度差;所述薄膜晶體管設置在所述緩沖層的上表面上,所述緩沖層的厚度均勻。
可選的,所述薄膜晶體管的漏極通過所述緩沖層上的第三過孔與所述金屬遮光層電連接。
第二方面,提供一種顯示面板,包括上述的薄膜晶體管驅動背板。
第三方面,提供一種薄膜晶體管驅動背板的制備方法,包括:在第一襯底上形成輔助層,所述輔助層至少位于待形成薄膜晶體管的有源層的區域;其中,所述輔助層在待形成所述薄膜晶體管的柵極的區域中的上表面,與在待形成所述薄膜晶體管的除所述柵極外的其他區域中的上表面具有高度差;在所述輔助層的上表面上形成所述薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:依次形成于所述輔助層上的有源層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層以及源極和漏極;所述有源層的厚度均勻;所述有源層包括第一圖案、位于所述第一圖案兩側的第二圖案,所述第一圖案的材料為半導體材料,所述第二圖案的材料為導體材料,且該導體材料為對所述半導體材料進行導體化得到;所述柵極與所述第一圖案在所述第一襯底上的正投影重疊;所述源極和所述漏極分別至少通過所述層間絕緣層上的第一過孔和第二過孔,與所述第一圖案兩側的所述第二圖案接觸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910565839.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體裝置及控制裝置
- 下一篇:薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類





