[發明專利]薄膜晶體管驅動背板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 201910565839.2
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110289307A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 趙策;王明;胡迎賓;宋威;黃勇潮;閆梁臣;倪柳松;丁遠奎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，包括：第一襯底、設置于所述第一襯底上的薄膜晶體管；

所述薄膜晶體管包括：依次設置于所述第一襯底上的有源層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層以及源極和漏極；所述有源層包括第一圖案、位于所述第一圖案兩側的第二圖案，所述第一圖案的材料為半導體材料，所述第二圖案的材料為導體材料，且該導體材料為對所述半導體材料進行導體化得到；

所述第一圖案與所述柵極在所述第一襯底上的正投影重疊，且所述第一圖案與所述第二圖案具有段差；所述源極和所述漏極分別至少通過所述層間絕緣層上的第一過孔和第二過孔，與所述第一圖案兩側的所述第二圖案接觸。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，相對于所述第二圖案，所述第一圖案朝向所述第一襯底一側凹陷。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，還包括設置于所述第一襯底上表面的輔助層，所述薄膜晶體管設置于所述輔助層的上表面；所述輔助層在所述第一襯底上的正投影覆蓋所述有源層在所述第一襯底上的正投影；

所述輔助層在與所述第二圖案重疊的區域中的上表面，和與所述第一圖案重疊的區域中的上表面具有高度差；

所述第一襯底的厚度均勻。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，所述輔助層的材料為透明絕緣材料或者不透明絕緣材料。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，所述輔助層包括沿所述第一襯底厚度方向層疊設置且接觸的金屬遮光層和緩沖層，所述金屬遮光層設置于所述緩沖層與所述第一襯底之間；

所述金屬遮光層在與所述第二圖案重疊的區域中的上表面，和與所述第一圖案重疊的區域中的上表面具有高度差；

所述薄膜晶體管設置在所述緩沖層的上表面上，所述緩沖層的厚度均勻。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極通過所述緩沖層上的第三過孔與所述金屬遮光層電連接。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管驅動背板。

8.一種薄膜晶體管驅動背板的制備方法，其特征在于，包括：

在第一襯底上形成輔助層，所述輔助層至少位于待形成薄膜晶體管的有源層的區域；其中，所述輔助層在待形成所述薄膜晶體管的柵極的區域中的上表面，與在待形成所述薄膜晶體管的除所述柵極外的其他區域中的上表面具有高度差；

在所述輔助層的上表面上形成所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：依次形成于所述輔助層上的有源層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層以及源極和漏極；所述有源層的厚度均勻；

所述有源層包括第一圖案、位于所述第一圖案兩側的第二圖案，所述第一圖案的材料為半導體材料，所述第二圖案的材料為導體材料，且該導體材料為對所述半導體材料進行導體化得到；所述柵極與所述第一圖案在所述第一襯底上的正投影重疊；所述源極和所述漏極分別至少通過所述層間絕緣層上的第一過孔和第二過孔，與所述第一圖案兩側的所述第二圖案接觸。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管驅動背板的制備方法，其特征在于，所述輔助層的材料為透明絕緣材料或者不透明絕緣材料；

在第一襯底上形成輔助層包括：

在所述第一襯底上沉積所述透明絕緣材料或者所述不透明絕緣材料，形成絕緣薄膜；

通過構圖工藝，使所述絕緣薄膜在待形成所述第二圖案的區域中的上表面，與在待形成所述第一圖案的區域中的上表面具有高度差，形成所述輔助層。