[發明專利]一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201910565247.0
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110299437B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 陳靜;錢建平;汪麗茜;潘江涌;劉城君;雷威
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 金詩琦

1.一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件，其特征在于：自下而上依次包括ITO導電玻璃(1)、將帶巰基功能團的長鏈化學分子鏈接至NiO納米顆粒表面的NiO空穴傳輸層(2)、CdZnSeS/ZnS量子點層(3)、ZnMgO電子傳輸層(4)和Al陰極(5)。

2.根據權利要求1所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件，其特征在于：所述ITO導電玻璃(1)的厚度為150～200nm，所述經表面處理的NiO空穴傳輸層(2)的厚度為30～40nm，CdZnSeS/ZnS量子點層(3)的厚度為30～40nm，所述ZnMgO電子傳輸層(4)的厚度為20～40nm，所述Al陰極(5)的厚度為200～300nm。

3.一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于包含以下步驟：

(a)分別采用去離子水、丙酮、異丙醇，清洗ITO導電玻璃(1)；

(b)將清洗后的ITO導電玻璃(1)吹干，并放置在紫外處理機中，處理時間為15～30min；

(c)取出步驟(b)處理后的ITO導電玻璃(1)，旋涂50～100ul、濃度為1～20mg/ml的將帶巰基功能團的長鏈化學分子鏈接至NiO納米顆粒表面的NiO納米顆粒溶液；

(d)取50～100ul、濃度為5～20mg/ml的量子點溶液旋涂到步驟(c)所得物上，轉速為1000～5000r/min，時間為15～45s，退火；

(e)取50～100ul、濃度為15～45mg/ml的ZnMgO納米顆粒溶液旋涂到步驟(d)所得物上，退火；

(f)將步驟(e)所得物抽真空并在700～900℃蒸鍍鋁膜，即制得經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件。

4.根據權利要求3所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(a)中，清洗在超聲機中進行，超聲時間為5～20min，溫度為20～40℃。

5.根據權利要求3所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(c)中，NiO納米顆粒溶液的表面處理包含以下步驟：

(1)將NiO納米顆粒溶解在氯苯、氯仿和正己烷任意一種溶劑中，配成1～20mg/ml的NiO納米顆粒溶液；

(2)在1000～5000r/min轉速下在ITO導電玻璃(1)上旋涂NiO納米顆粒溶液10～60s；

(3)將旋涂NiO納米顆粒溶液的ITO導電玻璃(1)室溫下浸泡在濃度為5～20mg/ml的表面修飾溶液中0.5～3h；

(4)使用醇類有機物清洗NiO薄膜表面1～5min，清洗后在50～100℃烘烤3～10min。

6.根據權利要求5所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，表面修飾溶液為不同碳鏈長度的巰基酸，為三巰基丙酸、四巰基丁酸、五巰基戊酸、六巰基己酸、七巰基庚酸、八巰基辛酸、九巰基壬酸、十巰基癸酸、11-巰基十一烷酸中的任意一種。

7.根據權利要求5所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，醇類有機物為甲醇或乙醇。

8.根據權利要求3所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(d)中，退火的溫度為80～120℃，時間為5～15min。

9.根據權利要求3所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(e)中，退火的溫度為60～100℃，時間為5～10min。

10.根據權利要求3所述的一種經表面處理的NiO薄膜的全無機QLEDs器件的制備方法，其特征在于：所述步驟(f)中，抽真空至10^-5～10^-4Pa。