[發(fā)明專利]一種經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910565247.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-06-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110299437B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳靜;錢建平;汪麗茜;潘江涌;劉城君;雷威 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 金詩琦 |
| 地址： | 211102 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 表面 處理 nio 薄膜 無機(jī) qleds 器件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件及其制備方法，所述全無機(jī)QLEDs器件，自下而上依次包括ITO導(dǎo)電玻璃、經(jīng)表面處理的NiO空穴傳輸層、CdZnSeS/ZnS量子點(diǎn)層、ZnMgO電子傳輸層和Al陰極。所述制備方法包括以下步驟：(a)分別采用去離子水、丙酮、異丙醇，清洗ITO導(dǎo)電玻璃；(b)將清洗后的ITO導(dǎo)電玻璃吹干，紫外處理；(c)取出處理后的ITO導(dǎo)電玻璃，旋涂經(jīng)表面處理的NiO納米顆粒溶液；(d)取量子點(diǎn)溶液旋涂到步驟(c)所得物上，退火；(e)取ZnMgO納米顆粒溶液旋涂到步驟(d)所得物上，退火；(f)將步驟(e)所得物抽真空并蒸鍍鋁膜。本發(fā)明通過構(gòu)建修飾空穴傳輸層，降低界面電荷猝滅幾率，提高載流子濃度，平衡電子與空穴，提高器件性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制法，具體為一種經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，發(fā)光器件由第一代LEDs器件發(fā)展到第三代QLEDs器件，最近幾年由于QLEDs器件的各個(gè)層得到了較大的優(yōu)化，使得QLEDs器件的發(fā)光強(qiáng)度、效率等得到了大幅度的提升。然而，QLEDs的壽命卻未得到相應(yīng)的提升。由于QLEDs的空穴層大都采用有機(jī)物，如PEDOT：PSS、TFB、PVB等，這些有機(jī)物受空氣中的水氧影響較大，導(dǎo)致器件的壽命無法得到提升，而且PEDOT：PSS本身的吸水性也會(huì)對(duì)量子點(diǎn)的發(fā)光性能產(chǎn)生影響。
雖然NiO納米顆粒受水氧影響較低，在空氣中能保持穩(wěn)定，但是研究表面，單單引入NiO納米顆粒無法改善QLEDs器件的使用壽命，反而大幅度降低了QLEDs的發(fā)光性能。主要是因?yàn)榱孔狱c(diǎn)層和NiO層直接發(fā)生接觸，而NiO納米顆粒會(huì)對(duì)量子點(diǎn)產(chǎn)生熒光猝滅效應(yīng)，導(dǎo)致QLEDs器件的性能大幅降低。因此如何解決NiO納米顆粒對(duì)量子點(diǎn)本身的熒光猝滅效應(yīng)以及提高QLEDs器件的發(fā)光性能和使用壽命仍然是目前的一個(gè)挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的：為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明目的是提供一種亮度較高、壽命較長的經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件，本發(fā)明的另一目的是提供一種成本低、重復(fù)性好的經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件及其制備方法。
技術(shù)方案：本發(fā)明所述的一種經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件，自下而上依次包括ITO導(dǎo)電玻璃、經(jīng)表面處理的NiO空穴傳輸層、CdZnSeS/ZnS量子點(diǎn)層、ZnMgO電子傳輸層和Al陰極。
ITO導(dǎo)電玻璃的厚度為150～200nm，經(jīng)表面處理的NiO空穴傳輸層的厚度為30～40nm，CdZnSeS/ZnS量子點(diǎn)層的厚度為30～40nm，ZnMgO電子傳輸層的厚度為20～40nm，所述Al陰極的厚度為200～300nm。
上述經(jīng)表面處理的NiO薄膜的全無機(jī)QLEDs器件的制備方法，包含以下步驟：
(a)分別采用去離子水、丙酮、異丙醇，在20～40℃超聲機(jī)中清洗ITO導(dǎo)電玻璃5～20min；
(b)將清洗后的ITO導(dǎo)電玻璃吹干，并放置在紫外處理機(jī)中，處理時(shí)間為15～30min；
(c)取出步驟(b)處理后的ITO導(dǎo)電玻璃，旋涂50～100ul、濃度為1～20mg/ml的經(jīng)表面處理的NiO納米顆粒溶液；
(d)取50～100ul、濃度為5～20mg/ml的量子點(diǎn)溶液旋涂到步驟(c)所得物上，轉(zhuǎn)速為1000～5000r/min，時(shí)間為15～45s，在80～120℃退火5～15min；
(e)取50～100ul、濃度為15～45mg/ml的ZnMgO納米顆粒溶液旋涂到步驟(d)所得物上，在60～100℃退火5～10min；
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