[發明專利]一種銦錫氧化物薄膜的制作方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201910564627.2
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110453198B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 夏玉明;卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;滁州惠科光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本申請公開了一種銦錫氧化物薄膜的制作方法、顯示面板和顯示裝置。所述銦錫氧化物薄膜的制作方法，制作方法包括：形成氧化銦薄膜的步驟；形成氧化錫薄膜的步驟；以及交替形成氧化銦薄膜的步驟和氧化錫薄膜的步驟，判斷是否重復了第三預設次數，是則制程完成；否則，重新執行形成氧化銦薄膜和氧化錫薄膜的步驟。本申請使用原子層沉積技術，交替形成氧化銦薄膜和氧化錫薄膜，并最終得到銦錫氧化物薄膜，大幅提高沉積薄膜的致密度，表面平整度和均勻度，實現生成穩定的銦錫氧化物薄膜。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種銦錫氧化物薄膜的制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

顯示面板近年來得到了飛速地發展和廣泛地應用。就主流市場上的TFT-LCD(ThinFilm Transistor-LCD，薄膜晶體管液晶顯示屏)而言，包括陣列基板和彩膜基板，在陣列基板上形成薄膜晶體管，薄膜晶體管控制像素電極的開關，薄膜晶體管打開時，像素電極產生電壓，使得液晶分子發生偏轉，顯示畫面。

顯示面板的制作中，在絕緣保護層上刻蝕形成過孔以便透明導電層與漏極連接時，由于絕緣保護層可能存在鉆蝕現象(PV Under-cut,Passivation Undercut)，隨后通過PVD(Physical Vapor De-position,物理氣相沉積方法)沉積ITO(Indium Tin Oxides,銦錫氧化物薄膜)時，則由于鉆蝕現象，銦錫氧化物薄膜容易出現斷線的情況，嚴重時可能直接導致液晶面板顯示異常。

發明內容

本申請的目的是提供一種銦錫氧化物薄膜的制作方法、顯示面板和顯示裝置，以提高銦錫氧化物薄膜的穩定性。

本申請公開了一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

形成氧化銦薄膜的步驟；

形成氧化錫薄膜的步驟；以及

交替形成氧化銦薄膜的步驟和氧化錫薄膜的步驟，判斷是否重復了第三預設次數，是則制程完成；否則，重新執行形成氧化銦薄膜和氧化錫薄膜的步驟；

其中，形成氧化銦薄膜的步驟為重復第一預設次數形成氧化銦層的過程以得到氧化銦薄膜；形成氧化錫薄膜的步驟為重復第二預設次數形成氧化錫層的過程以得到氧化錫薄膜；

其中，形成氧化銦層的過程包括：在原子層沉積裝置中持續通入預設時間的銦前驅體，完成通入后停留預設時間，通入惰性氣體吹掃，持續通入預設時間的氧前驅體，完成通入后停留預設時間，通入惰性氣體吹掃；

形成氧化錫層的過程包括：在原子層沉積裝置中持續通入預設時間的錫前驅體，完成通入后停留預設的時間，通入惰性氣體吹掃，持續通入預設時間的氧前驅體，完成通入后停留預設的時間，通入惰性氣體吹掃。

可選的，所述銦前驅體包括三甲基銦、環戊二烯銦和氯化銦的至少一種；所述錫前驅體包括四(二甲胺基)錫和四氯化錫的至少一種；所述氧前驅體包括水、臭氧和氧氣中的至少一種；所述惰性氣體包括氬氣和氦氣的至少一種。

可選的，所述銦前驅體、錫前驅體以及氧前驅體的持續通入預設時間均在0.01s至0.02s之間；所述所述銦前驅體、錫前驅體以及氧前驅體通入的速率在5ml/min至30ml/min之間。

可選的，所述銦前驅體、錫前驅體以及氧前驅體的停留預設時間在2s至10s之間。

可選的，所述銦前驅體為三甲基銦，所述錫前驅體為四(二甲胺基)錫，所述氧前驅體為氧氣；所述三甲基銦的持續通入預設時間設置為0.02s；所述四(二甲胺基)錫的持續通入預設時間設置為0.01s；所述氧氣的持續通入預設時間設置為0.02s。