[發明專利]一種銦錫氧化物薄膜的制作方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201910564627.2
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110453198B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 夏玉明;卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;滁州惠科光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

形成氧化銦薄膜的步驟；

形成氧化錫薄膜的步驟；以及

交替形成氧化銦薄膜的步驟和氧化錫薄膜的步驟，判斷是否重復了第三預設次數，是則制程完成；否則，重新執行形成氧化銦薄膜和氧化錫薄膜的步驟；

其中，形成氧化銦薄膜的步驟為重復第一預設次數形成氧化銦層的過程以得到氧化銦薄膜；形成氧化錫薄膜的步驟為重復第二預設次數形成氧化錫層的過程以得到氧化錫薄膜；

其中，形成氧化銦層的過程包括：在原子層沉積裝置中持續通入預設時間的銦前驅體，完成通入后停留預設時間，通入惰性氣體吹掃，持續通入預設時間的氧前驅體，完成通入后停留預設時間，通入惰性氣體吹掃；

形成氧化錫層的過程包括：在原子層沉積裝置中持續通入預設時間的錫前驅體，完成通入后停留預設的時間，通入惰性氣體吹掃，持續通入預設時間的氧前驅體，完成通入后停留預設的時間，通入惰性氣體吹掃；

其中，在形成氧化銦薄膜的過程中包括：先在鈍化層上形成第一預設次數的氧化銦層得到氧化銦薄膜，然后，在形成氧化錫薄膜的過程中包括：在氧化銦薄膜上重復第二預設次數形成氧化錫層得到氧化錫薄膜，形成氧化銦薄膜的步驟中包括判斷是否重復第一預設次數，形成氧化錫薄膜的步驟中是否重復第二預設次數；

其中，第一預設次數為180次，第二預設次數為5次；

所述銦前驅體的持續通入預設時間為0.02s，所述錫前驅體的持續通入預設時間為0.01s；所述銦前驅體和錫前驅體的通入的速率在20ml/min。

2.如權利要求1所述的一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述銦前驅體包括三甲基銦、環戊二烯銦和氯化銦的至少一種；所述錫前驅體包括四(二甲胺基)錫和四氯化錫的至少一種；所述氧前驅體包括水、臭氧和氧氣中的至少一種；所述惰性氣體包括氬氣和氦氣的至少一種。

3.如權利要求2所述的一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述氧前驅體的持續通入預設時間均在0.01s至0.02s之間；所述氧前驅體通入的速率在5ml/min至30ml/min之間。

4.如權利要求2所述的一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述銦前驅體、錫前驅體以及氧前驅體的停留預設時間在2s至10s之間。

5.如權利要求3所述的一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述銦前驅體為三甲基銦，所述錫前驅體為四(二甲胺基)錫，所述氧前驅體為氧氣；

所述三甲基銦的持續通入預設時間設置為0.02s；所述四(二甲胺基)錫的持續通入預設時間設置為0.01s；所述氧氣的持續通入預設時間設置為0.02s。

6.如權利要求4所述的一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述銦前驅體為三甲基銦，所述錫前驅體為四(二甲胺基)錫，所述氧前驅體為氧氣；

在所述形成氧化銦層的過程中，所述三甲基銦的停留預設時間設置為5s；所述氧前驅體為氧氣，所述氧氣的停留預設時間為3s；在所述形成氧化錫層的過程中，所述錫前驅體為所述四(二甲胺基)錫，所述四(二甲胺基)錫的停留時間為5s，所述氧前驅體為氧氣，所述氧氣的停留預設時間為5s。

7.如權利要求2所述的一種銦錫氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述原子層沉積裝置的工作溫度在150攝氏度至250攝氏度之間；所述原子層沉積裝置的工作壓強在0.01托至0.5托之間。