[發明專利]一種晶圓切割方法

有效

• 申請號: 201910561903.X
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110421270B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 黃光偉;李立中;林偉銘;陳智廣;馬躍輝;吳淑芳;吳靖;莊永淳
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;郭鵬飛

本發明公開一種晶圓切割方法，包括如下步驟：在正面具有鈍化層的晶圓上對切割道處的鈍化層進行開口；在鈍化層上涂布保護層，并對切割道處的保護層進行開口；采用非等向性蝕刻從切割道開口處對晶圓進行蝕刻；達到目標蝕刻深度后用激光對切割道處剩余的晶圓進行切割。區別于現有技術，上述技術方案采用非等向性蝕刻減薄激光作業的厚度，這樣可以采用小能量的激光進行切割作業，在薄厚度下激光切割過程可以減少斜裂缺陷的發生，同時減少激光大能量作用在晶圓上而產生顆粒。

技術領域

本發明涉及晶圓切割技術領域，尤其涉及一種晶圓切割方法。

背景技術

現有技術用激光完成對GaAs材料晶圓的切割，但對于晶圓的厚度較厚（150um）時，由于激光切割設備的切割能力限制（一般的激光切割可以完成120um以內深度的切割），存在切割困難，無法完成對過厚晶圓基板切割。而且對厚材料晶圓進行切割，容易發生斜裂情況。以及由于切割深度過厚，則需要較大的激光能力，大能量激光容易引出切割顆粒，飛落在晶圓表面上，造成晶圓缺陷。

發明內容

為此，需要提供一種晶圓切割方法，解決現有較厚晶圓的切割困難問題。

為實現上述目的，發明人提供了一種晶圓切割方法，包括如下步驟：

在正面具有鈍化層的晶圓上對切割道處的鈍化層進行開口；

在鈍化層上涂布保護層，并對切割道處的保護層進行開口；

采用非等向性蝕刻從切割道開口處對晶圓進行蝕刻；

達到目標蝕刻深度后用激光對切割道處剩余的晶圓進行切割。

進一步地，所述達到目標蝕刻深度后用激光對切割道處剩余的晶圓進行切割還包括步驟：

達到目標蝕刻深度后用在晶圓背面貼上膠膜；

用激光對切割道處剩余的晶圓進行切割；

擴張膠膜。

進一步地，所述保護層為光阻、氮化物、聚酰亞胺、非金屬氧化物層或金屬化合物。

進一步地，所述保護層為光阻時，對保護層進行開口包括步驟：對保護層進行曝光顯影。

進一步地，所述鈍化層為氮化物。

進一步地，所述晶圓為砷化鎵晶圓。

區別于現有技術，上述技術方案采用非等向性蝕刻減薄激光作業的厚度，這樣可以采用小能量的激光進行切割作業，在薄厚度下激光切割過程可以減少斜裂缺陷的發生，同時減少激光大能量作用在晶圓上而產生顆粒。

附圖說明

圖1為具體實施方式所述保護層開口后的結構示意圖；

圖2為具體實施方式所述非等向性蝕刻的結構示意圖；

圖3為具體實施方式所述的激光切割的結構示意圖。

附圖標記說明：

1、鈍化層，

2、晶圓，

3、保護層，

4、膠膜。

具體實施方式

為詳細說明技術方案的技術內容、構造特征、所實現目的及效果，以下結合具體實施例并配合附圖詳予說明。