[發明專利]一種晶圓切割方法

有效

• 申請號: 201910561903.X
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110421270B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 黃光偉;李立中;林偉銘;陳智廣;馬躍輝;吳淑芳;吳靖;莊永淳
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;郭鵬飛

1.一種晶圓切割方法，其特征在于，包括如下步驟：

在正面具有鈍化層的晶圓上對切割道處的鈍化層進行開口，開口采用機械切割或者激光切割的方式；

在鈍化層上涂布保護層，并對切割道處的保護層進行開口；

采用非等向性蝕刻從切割道開口處對晶圓進行蝕刻，非等向性蝕刻粒子會垂直晶圓正面蝕刻晶圓表面，蝕刻后的反應氣體經真空泵抽離，在蝕刻過程中，會對保護層進行蝕刻，保護層起到蝕刻緩沖的作用；

達到目標蝕刻深度后在晶圓背面貼上膠膜，用激光對切割道處剩余的晶圓進行切割，擴張膠膜；所述目標蝕刻深度處在晶圓中部，所述激光切割的晶圓為目標蝕刻深度以下的部分，激光切割時激光穿過所述采用非等向性蝕刻所蝕刻出的側壁為晶圓的區域。

2.根據權利要求1所述的一種晶圓切割方法，其特征在于，所述保護層為光阻、氮化物、聚酰亞胺、非金屬氧化物層或金屬化合物。

3.根據權利要求1所述的一種晶圓切割方法，其特征在于，所述保護層為光阻時，對保護層進行開口包括步驟：對保護層進行曝光顯影。

4.根據權利要求1所述的一種晶圓切割方法，其特征在于，所述鈍化層為氮化物。

5.根據權利要求1到4任意一項所述的一種晶圓切割方法，其特征在于，所述晶圓為砷化鎵晶圓。