[發明專利]一種晶棒清洗裝置在審
| 申請號: | 201910561647.4 | 申請日: | 2019-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN110252727A | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發明(設計)人: | 陳光林;鄭秉胄;姜镕 | 申請(專利權)人: | 西安奕斯偉硅片技術有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/08 | 分類號: | B08B3/08;B08B13/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗槽 夾持機構 清洗裝置 晶棒 晶片 種晶 盛裝清洗液 驅動 后續工序 晶棒表面 清洗工序 驅動結構 砂漿 清洗液 成塊 附著 夾持 清洗 凝結 加工 | ||
本發明提供一種晶棒清洗裝置,包括:基座;夾持機構,所述夾持機構設在所述基座上以用于夾持晶棒;清洗槽,所述清洗槽設在所述基座上以用于盛裝清洗液;驅動結構,用于驅動所述夾持機構向所述清洗槽靠近,和/或,驅動所述清洗槽向所述夾持機構靠近,使得所述晶棒置于所述清洗槽中的所述清洗液內。根據本發明的晶棒清洗裝置,能夠避免晶棒表面及晶片縫隙內的砂漿凝結成塊而附著于表面的問題,便于后續的清洗工序,提高清洗的效率和品質,提高后續工序中晶片的加工質量。
技術領域
本發明涉及晶棒清洗領域,尤其涉及一種晶棒清洗裝置。
背景技術
在單晶硅晶片成型加工工藝中,長度300mm-450mm的單晶硅晶棒先后經過切割、清洗、研磨以及邊緣倒角而初步加工成型。半導體和太陽能領域單晶硅片多采用多線切割方式,通過將被切割工件粘結在進給機構上,向一組平行鋼線陣列推動工件,完成晶片的切割,依據切割過程中使用砂漿與否,以及鋼線類型的不同,又分為游離磨料切割方式和固定磨料切割方式,其中,游離磨料切割方式中,使用一根直線鋼絲往復纏繞于設備主琨形成平行線陣列,晶錠軸向與鋼線陣列垂直,并控制一定速度緩慢向鋼線陣列,向鋼線上噴淋磨料或者砂漿,鋼線帶動砂漿或磨料進入晶錠切割面,實現切割過程。
晶棒在經過切割后其表面附著有大量PEG/PG和碳化硅(SiC)混合而成的具備一定黏度的砂漿,因而需要立即使用晶棒臺車從多線切割機中下料,并送往下道工序進行清洗,去除表面的油污及碎屑。然而,在實際生產過程中,受限于產能或設備,常常不能及時將切割后的晶棒進行清洗,從而導致晶棒表面及晶片縫隙內的砂漿迅速凝結成塊而附著于晶片表面,給后續的清洗過程增加困難,嚴重降低清洗的效率和品質,更有甚者,其表面的SiC會在后道工序使用超聲波輔助清洗時對臨近晶片造成二次劃傷,影響晶片的加工質量。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種晶棒清洗裝置,用以解決在工序銜接過程中,因不能及時將切割后的晶棒進行清洗,導致晶棒表面及晶片縫隙內的砂漿凝結成塊而附著于表面,導致后續的清洗效率和品質降低的問題。
為解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
根據本發明實施例的晶棒清洗裝置,包括:
基座;
夾持機構,所述夾持機構設在所述基座上以用于夾持晶棒;
清洗槽,所述清洗槽設在所述基座上以用于盛裝清洗液;
驅動結構,用于驅動所述夾持機構向所述清洗槽靠近,和/或,驅動所述清洗槽向所述夾持機構靠近,使得所述晶棒置于所述清洗槽中的所述清洗液內。
進一步地,所述晶棒清洗裝置還包括:
第一連接部,所述第一連接部在豎直方向上可移動地設在所述基座上;
第二連接部,所述第二連接部設在所述第一連接部上,所述夾持機構在水平方向上可移動地設在所述第二連接部上。
進一步地,所述基座包括第一板體和與所述第一板體垂直相連的第二板體,所述第一連接部設在所述第一板體上,所述清洗槽設在所述第二板體上。
進一步地,所述驅動結構包括:
第一驅動部,所述第一驅動部與所述第一連接部相連以驅動所述第一連接部在豎直方向上移動;
第二驅動部,所述第二驅動部與所述夾持機構相連以驅動所述夾持機構在水平方向上移動。
進一步地,所述清洗槽包括:
第一清洗槽,所述第一清洗槽設在所述基座上;
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