[發明專利]用于半導體制造設備的氣體管路控制裝置

有效

• 申請號: 201910560512.6
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110289231B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 霍冬冬;蔡學權
• 申請（專利權）人: 英特爾半導體（大連）有限公司;英特爾公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

本公開提供了一種用于半導體制造設備的氣體管路控制裝置，半導體制造設備包括處理氣體供給管路、處理氣體排出管路和保護氣體供給管路，所述氣體管路控制裝置包括：保護氣體供給閥，設置在保護氣體供給管路中，被配置為在保護氣體供給閥處于打開狀態時，使得保護氣體供給管路與處理氣體排出管路處于連通狀態，以向處理氣體排出管路供給保護氣體，以及在保護氣體供給閥處于關斷狀態時，使得保護氣體供給管路與處理氣體排出管路處于非連通狀態，以禁止向處理氣體排出管路供給保護氣體；以及第一控制開關，被配置為在接收到保護氣體供給信號時，使保護氣體供給閥處于打開狀態，并且在未接收到保護氣體供給信號時，使保護氣體供給閥處于關斷狀態。

技術領域

本公開涉及半導體制造技術領域，具體地，涉及用于半導體制造設備的氣體管路控制裝置。

背景技術

在半導體制造過程中，有些半導體制造設備需要使用處理氣體來完成相應工序的處理。在設備處理之后的廢氣需要通過處理氣體排出管路來排出。而這些處理氣體本身或其在完成相應工序的處理之后產生的廢氣中會含有易燃易爆氣體。在處理氣體排出管路中，如果易燃易爆氣體濃度過高，則可能會燃燒爆炸而帶來安全隱患。因此，現有技術中通過常是在處理氣體排出管路持續供給保護氣體(如N2)，以稀釋易燃易爆氣體，使易燃易爆氣體的濃度低于燃燒爆炸極限。然而，現有技術中通常是不間斷地供給保護氣體，因而會消耗大量的保護氣體，導致制造成本上升。

發明內容

鑒于上述，本公開提供了一種用于半導體制造設備的氣體管路控制裝置。利用該裝置，通過利用第一控制開關來控制保護氣體供給閥，以在不需要供給保護氣體時關斷保護氣體供給管路，禁止供給保護氣體，從而能夠節省保護氣體的使用量。

根據本公開的一個方面，提供了一種用于半導體制造設備的氣體管路控制裝置，所述半導體制造設備包括處理氣體供給管路、處理氣體排出管路和保護氣體供給管路，所述氣體管路控制裝置包括：保護氣體供給閥，設置在所述保護氣體供給管路中，被配置為在所述保護氣體供給閥處于打開狀態時，使得所述保護氣體供給管路與所述處理氣體排出管路處于連通狀態，以向所述處理氣體排出管路供給保護氣體，以及在所述保護氣體供給閥處于關斷狀態時，使得所述保護氣體供給管路與所述處理氣體排出管路處于非連通狀態，以禁止向所述處理氣體排出管路供給保護氣體；以及第一控制開關，與所述保護氣體供給閥電連接，被配置為在接收到保護氣體供給信號時，使得所述保護氣體供給閥處于打開狀態，并且在未接收到保護氣體供給信號時，使得所述保護氣體供給閥處于關斷狀態。

可選的，在一個示例中，所述保護氣體供給信號可以包括處理氣體供給信號或者處理氣體排出信號。

可選的，在一個示例中，在所述保護氣體供給信號包括處理氣體供給信號時，所述氣體管路控制裝置可以包括：處理氣體供給檢測器，設置在所述處理氣體供給管路中，被配置為檢測所述處理氣體供給管路中是否存在處理氣體供給。其中，所述處理氣體供給檢測器可以與所述第一控制開關電連接，并且在所述處理氣體供給檢測器檢測到所述處理氣體供給管路中存在處理氣體供給時，向所述第一控制開關提供所述處理氣體供給信號。

可選的，在一個示例中，所述半導體制造設備還可以包括處理氣體供給控制閥，設置在所述處理氣體供給管路中，所述處理氣體供給信號包括所述處理氣體供給控制閥的打開狀態信號。

可選的，在一個示例中，在所述保護氣體提供狀態信號包括處理氣體排出信號時，所述氣體管路控制裝置可以包括：處理氣體排出信號檢測器，設置在所述處理氣體排出管路中，被配置為在檢測到所述處理氣體供給管路中存在排出氣體時，生成所述處理氣體排出信號。

可選的，在一個示例中，所述第一控制開關可以被配置為：在未接收到所述保護氣體供給信號時，延時第一預定時間后，使得所述保護氣體供給閥處于關斷狀態。