[發明專利]一種轉移結構及其制備方法、轉移裝置

有效

• 申請號: 201910560425.0
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110265425B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 岳陽;楊桐;舒適;于勇;黃海濤;李翔;姚琪;蔣學;袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/67;H01L33/48
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種轉移結構及其制備方法、轉移裝置，涉及顯示技術領域，可以對Micro LED晶粒進行轉移。該轉移結構包括：依次層疊設置在基底上的第一電極、壓電層、第二電極以及粘附層；所述第一電極和所述第二電極相互絕緣；所述轉移結構還包括：限位層，所述限位層包括空腔；其中，所述壓電層以及至少部分所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內；所述限位層遠離所述基底的表面與所述基底的距離大于所述粘附層遠離所述基底的表面與所述基底的距離。用于轉移Micro LED晶粒。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種轉移結構及其制備方法、轉移裝置。

背景技術

Micro LED(Micro Light-Emitting Diode，微型發光二極管)顯示器由于具有低功耗、高亮度、超高解析度與色彩飽和度、反應速度快、超省電(Micro LED顯示器的耗電量為液晶顯示器耗電量的10％，為有機電致發光顯示器耗電量的50％)、長壽命、高效率、適應各種尺寸、無縫拼接等優勢，因而成為目前最具有潛力的下一代新型顯示技術。

目前，Micro LED顯示器在制作過程中存在很多亟待解決的難題。例如，如何將數百萬甚至數千萬顆微米級的Micro LED晶粒(也稱μLED晶粒)正確且有效率地轉移到電路基板上。

發明內容

本發明的實施例提供一種轉移結構及其制備方法、轉移裝置，可以對Micro LED晶粒進行轉移。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種轉移結構，包括：依次層疊設置在基底上的第一電極、壓電層、第二電極以及粘附層；所述第一電極和所述第二電極相互絕緣；所述轉移結構還包括：限位層，所述限位層包括空腔；其中，所述壓電層以及至少部分所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內；所述限位層遠離所述基底的表面與所述基底的距離大于所述粘附層遠離所述基底的表面與所述基底的距離。

在一些實施例中，所述轉移結構還包括：設置在所述限位層的所述空腔的側壁的凸起結構。

在一些實施例中，所述凸起結構遠離所述基底的表面與所述限位層遠離所述基底的表面在同一平面內。

在一些實施例中，所述限位層與所述凸起結構一體成型。

在一些實施例中，所述轉移結構還包括：設置在所述第二電極和所述粘附層之間的保護層。

第二方面，提供一種轉移裝置，包括基底以及設置在所述基底上的多個上述的轉移結構。

在一些實施例中，所述基底包括第一襯底以及設置在所述第一襯底上沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的多條柵線、沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向依次排列的多條數據線；所述基底還包括設置在所述第一襯底上的多個薄膜晶體管；位于同一排且沿第一方向排列的多個薄膜晶體管的柵極與同一條所述柵線電連接；位于同一排且沿第二方向排列的多個薄膜晶體管的源極與同一條所述數據線電連接；一個所述轉移結構中的第一電極與一個所述薄膜晶體管的漏極電連接。

第三方面，提供一種轉移結構的制備方法，包括：在第二襯底上形成限位層；所述限位層包括空腔；在所述限位層的所述空腔內形成第一犧牲層；至少在所述限位層的所述空腔內形成粘附層；在所述粘附層上依次形成第二電極和壓電層；所述壓電層位于所述限位層的所述空腔內；在所述壓電層上形成第一電極；在所述第一電極上形成基底；去除所述第一犧牲層和所述第二襯底。

在一些實施例中，所述在第二襯底上形成限位層，包括：在所述第二襯底上形成限位層薄膜；對所述限位層薄膜進行構圖，以在所述第二襯底上形成限位層，同時在所述限位層的所述空腔的側壁形成凸起結構。