[發明專利]一種轉移結構及其制備方法、轉移裝置

有效

• 申請號: 201910560425.0
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110265425B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 岳陽;楊桐;舒適;于勇;黃海濤;李翔;姚琪;蔣學;袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/67;H01L33/48
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種轉移結構，其特征在于，包括：依次層疊設置在基底上的第一電極、壓電層、第二電極以及粘附層；所述第一電極和所述第二電極相互絕緣；

所述轉移結構還包括：限位層，所述限位層包括空腔；

其中，所述壓電層以及至少部分所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內；所述限位層遠離所述基底的表面與所述基底的距離大于所述粘附層遠離所述基底的表面與所述基底的距離；

所述壓電層用于在對所述第一電極和所述第二電極施加電壓時發生變形，將所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內的部分擠壓到所述限位層的所述空腔外；

所述壓電層還用于在切斷所述第一電極和所述第二電極上施加的電壓后恢復到初始形狀，使被擠壓到所述限位層的所述空腔外的所述粘附層部分收縮回所述限位層的所述空腔內。

2.根據權利要求1所述的轉移結構，其特征在于，所述轉移結構還包括：設置在所述限位層的所述空腔的側壁的凸起結構。

3.根據權利要求2所述的轉移結構，其特征在于，所述凸起結構遠離所述基底的表面與所述限位層遠離所述基底的表面在同一平面內。

4.根據權利要求2或3所述的轉移結構，其特征在于，所述限位層與所述凸起結構一體成型。

5.根據權利要求1所述的轉移結構，其特征在于，所述轉移結構還包括：設置在所述第二電極和所述粘附層之間的保護層。

6.一種轉移裝置，其特征在于，包括基底以及設置在所述基底上的多個如權利要求1-5任一項所述的轉移結構。

7.根據權利要求6所述的轉移裝置，其特征在于，所述基底包括第一襯底以及設置在所述第一襯底上沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的多條柵線、沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向依次排列的多條數據線；

所述基底還包括設置在所述第一襯底上的多個薄膜晶體管；位于同一排且沿第一方向排列的多個薄膜晶體管的柵極與同一條所述柵線電連接；位于同一列且沿第二方向排列的多個薄膜晶體管的源極與同一條所述數據線電連接；

一個所述轉移結構中的第一電極與一個所述薄膜晶體管的漏極電連接。

8.一種轉移結構的制備方法，其特征在于，包括：

在第二襯底上形成限位層；所述限位層包括空腔；

在所述限位層的所述空腔內形成第一犧牲層；

至少在所述限位層的所述空腔內形成粘附層；

在所述粘附層上依次形成第二電極和壓電層；所述壓電層位于所述限位層的所述空腔內；

在所述壓電層上形成第一電極；

在所述第一電極上形成基底；

去除所述第一犧牲層和所述第二襯底；

其中，所述壓電層用于在對所述第一電極和所述第二電極施加電壓時發生變形，將所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內的部分擠壓到所述限位層的所述空腔外；

所述壓電層還用于在切斷所述第一電極和所述第二電極上施加的電壓后恢復到初始形狀，使被擠壓到所述限位層的所述空腔外的所述粘附層部分收縮回所述限位層的所述空腔內。

9.根據權利要求8所述的轉移結構的制備方法，其特征在于，所述在第二襯底上形成限位層，包括：

在所述第二襯底上形成限位層薄膜；

對所述限位層薄膜進行構圖，以在所述第二襯底上形成限位層，同時在所述限位層的所述空腔的側壁形成凸起結構。

10.一種轉移結構的制備方法，其特征在于，包括：

在基底上依次形成層疊的第一電極、壓電層和第二電極；

在所述第二電極上形成粘附層，并在所述基底上形成限位層；所述限位層包括空腔；其中，所述壓電層以及至少部分所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內；所述限位層遠離所述基底的表面與所述基底的距離大于所述粘附層遠離所述基底的表面與所述基底的距離；所述壓電層用于在對所述第一電極和所述第二電極施加電壓時發生變形，將所述粘附層位于所述限位層的所述空腔內的部分擠壓到所述限位層的所述空腔外；所述壓電層還用于在切斷所述第一電極和所述第二電極上施加的電壓后恢復到初始形狀，使被擠壓到所述限位層的所述空腔外的所述粘附層部分收縮回所述限位層的所述空腔內。