[發明專利]清洗極紫外輻射源設備的方法及極紫外輻射源設備

有效

• 申請號: 201910560150.0
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110653221B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 陳彥勳;蔡明訓;王紹華;張漢龍;陳立銳;陳家楨
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;B08B13/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種清洗極紫外(EUV)輻射源設備的方法，其中EUV輻射源設備包括用于在腔室內生成金屬靶液滴的靶液滴產生器，以及干冰噴射組件。干冰噴射組件具有設置在腔室內部的噴射噴嘴及干冰支承構件。清洗方法包括以下步驟：形成包括來自干冰噴射組件的干冰支承構件的干冰顆粒及加壓氣流的加壓干冰顆粒，接著，將加壓干冰顆粒經由噴射噴嘴朝向靶液滴產生器的噴嘴處的殘余材料噴出。從靶液滴產生器去除殘余材料，以及收集殘余材料及來自加壓干冰顆粒的升華氣態二氧化碳。

技術領域

本揭露是關于一種清洗極紫外輻射源設備的方法及極紫外輻射源設備。

背景技術

回應于消費者需求，消費者裝置已經變得愈來愈小，此等裝置的各個元件的尺寸也必然減小。組成諸如行動電話、電腦平板等裝置的主要元件的半導體裝置已經受到壓力變得愈來愈小，其中亦有半導體裝置內的各個元件(例如，晶體管、電阻器、電容器等)亦應隨之減小的壓力。已經利用諸如微影術的半導體制造技術的發展滿足元件尺寸的減小需要。

舉例而言，用于微影術的輻射波長已經從紫外光減小至深紫外光(deepultraviolet；DUV)，并且更接近至極紫外光(extreme ultraviolet；EUV)。部件尺寸的進一步減小需要進一步改進微影術的解析度，其可利用極紫外線微影術(extreme ultravioletlithography；EUVL)實現。EUVL使用具有約1-100nm的波長的輻射。

由于為了追求更高元件密度、更高效能及更低成本，半導體工業已經發展進入納米技術節點，因此減小半導體特征尺寸存在挑戰。

發明內容

本揭露的一實施方式為一種清洗極紫外(EUV)輻射源設備的方法，其中EUV輻射源設備包括用于在腔室內生成金屬靶液滴的靶液滴產生器，以及干冰噴射組件。干冰噴射組件具有設置在腔室內部的噴射噴嘴及干冰支承構件。清洗方法包括以下步驟：形成包括來自干冰噴射組件的干冰支承構件的干冰顆粒及加壓氣流的加壓干冰顆粒，接著，將加壓干冰顆粒經由噴射噴嘴朝向靶液滴產生器的噴嘴處的殘余材料噴出。從靶液滴產生器去除殘余材料，以及收集殘余材料及來自加壓干冰顆粒的升華氣態二氧化碳。

本揭露的一實施方式為一種極紫外(EUV)輻射源設備，包括用于生成金屬靶液滴的靶液滴產生器、干冰噴射組件、包圍至少靶液滴產生器及干冰噴射組件的腔室，以及控制器。控制器連接干冰噴射組件及靶液滴產生器。干冰噴射組件選擇性地可附接至該腔室且從該腔室可伸長，干冰噴射組件包括噴射裝置、排氣裝置、及支承裝置。

本揭示的一實施例為清洗極紫外(EUV)輻射源設備的方法，包括提供用于在腔室內生成金屬靶液滴的靶液滴產生器的步驟。去除腔室的真空，允許靶液滴產生器的噴嘴上的殘余材料與氧氣反應。具有噴射噴嘴及干冰支承構件的干冰噴射組件設置在腔室內部。形成包括來自干冰支承構件的干冰顆粒及加壓氣流的加壓干冰顆粒。將加壓干冰顆粒經由噴射噴嘴朝向靶液滴產生器的噴嘴處的殘余材料噴出。從靶液滴產生器去除殘余材料，并收集殘余材料及來自加壓干冰顆粒的升華氣態二氧化碳。本揭示的一實施例為一種清洗極紫外(EUV)輻射源設備的方法，極紫外輻射源設備包括用于在腔室內生成金屬靶液滴的靶液滴產生器，以及清洗噴射組件。清洗噴射組件具有設置在腔室內部的清洗噴射噴嘴及清洗支承構件。清洗方法包括形成數個加壓干冰顆粒，接著將加壓干冰顆粒經由清洗噴射噴嘴朝向靶液滴產生器的噴嘴處的殘余材料噴出，進而從靶液滴產生器去除殘余材料。然后，調節微小沖擊波，以從靶液滴產生器去除殘余材料。

本揭示的一實施例為一種極紫外輻射源設備，包括用于生成金屬靶液滴的靶液滴產生器、清洗噴射組件，以及至少包圍靶液滴產生器及清洗噴射組件的腔室。清洗噴射組件包括支承裝置以及噴射裝置。支承裝置設置以形成數個加壓干冰顆粒，噴射裝置設置以將加壓干冰顆粒朝向靶液滴產生器的噴嘴處的殘余材料噴出。