[發(fā)明專利]磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910560070.5
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110218972A
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 鄭榮戌;劉紅巖;王曉強;李明亞;余述勁;夏侯博文;陳坤;陳怡
• 申請（專利權）人: 東北大學秦皇島分校
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 沈陽東大知識產(chǎn)權代理有限公司 21109
• 代理人: 梁焱

1.一種磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)將基片進行表面處理；所述的基片材質為電子玻璃或柔性襯底材料，所述的柔性襯底材料選用聚乙烯對苯二酸酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷或聚酰亞胺；

(2)在射頻磁控濺射設備上安裝靶材，然后將表面處理后的基片裝入射頻磁控濺射設備的真空室；所述的靶材為AZO靶材，按質量百分比含Al₂O₃2±0.5％，其余為ZnO；

(3)對真空室抽真空至8×10^-4Pa以下，然后通入氬氣，控制通入氬氣的流量36～68sccm；通過調節(jié)射頻磁控濺射設備的閘板閥，控制真空室內(nèi)的氬氣壓力為0.8～1.2Pa，對靶材進行預濺射清洗，去除靶材表面的雜質，預濺射清洗時間5～15min；

(4)在室溫條件下，調節(jié)濺射電壓1.52～1.75kV，電流110～120mA，保持氬氣的流通量為36～68sccm；開始磁控濺射，時間20～30min，在基片上制成具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法，其特征在于步驟(3)中，對真空室抽真空時，先抽真空至15Pa以下，再開啟分子泵抽真空至8×10^-4Pa以下。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法，其特征在于步驟(1)中，表面處理是將基片依次置于丙酮、去離子水和無水乙醇中分別進行一次超聲清洗，每次超聲清洗的時間至少5min；最后取出用氮氣吹干表面的無水乙醇。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法，其特征在于步驟(4)中，射頻磁控濺射設備的射頻匹配器的自偏壓范圍設為0.16～0.24kV。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法，其特征在于步驟(3)和(4)中，進行預濺射清洗和磁控濺射時的靶基距為60～80mm。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種磁控濺射原位制備具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的方法，其特征在于所述的具有擇優(yōu)取向AZO光電薄膜的厚度為590～1700nm，按質量百分比含Al 1.5～2.4％，Zn 80.60～82.40％，其余為O。