[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201910559598.0
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN112151450B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 王禎貞;張建軍
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構的形成方法，包括：

形成柵極，方法包括：

形成柵介電層于基底上；

形成柵電極于該柵介電層上；及

形成氮化物間隙壁于該柵電極的側壁上；及

形成含磷的介電層于該柵極上，其中該含磷的介電層具有一變化的磷摻雜質密度分布輪廓,

其中該含磷的介電層包括：

第一磷摻雜質密度區域，在該柵極上，并具有一頂點；

第二磷摻雜質密度區域，在該第一磷摻雜質密度區域上，并具有一另一頂點，其中定義在該第一磷摻雜質密度區域的該頂點與該第二磷摻雜質密度區域的該另一頂點之間的直線是偏離一垂直方向,?該第一磷摻雜質密度區域的磷摻雜質密度是高于與該第二磷摻雜質密度區域的磷摻雜質密度。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含磷的介電層具有類火焰輪廓部分或類花苞輪廓部分。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含磷的介電層具有數個類火焰輪廓部分或類花苞輪廓部分，分別對應多個柵極。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含磷的介電層包括第一磷摻雜質密度區域，該第一磷摻雜質密度區域在該柵極的上表面上，并具有從該第一磷摻雜質密度區域的底部分至頂部分逐漸變小的寬度。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含磷的介電層包括第一磷摻雜質密度區域，該第一磷摻雜質密度區域在該柵極的上表面上，并具有類三角形狀。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，還包括進行蝕刻步驟，該蝕刻步驟對該含磷的介電層具有蝕刻選擇性。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，包括通過該蝕刻步驟在該含磷的介電層中形成一接觸開口。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，還包括形成接觸元件在該接觸開口中。

9.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，還包括形成源/漏極在該基底中，其中該接觸開口露出該源/漏極與該氮化物間隙壁。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含磷的介電層包括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃，且該氮化物間隙壁包括氮化硅。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該氮化物間隙壁具有由上至下逐漸變大的寬度。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含磷的介電層的形成方法包括高密度等離子體化學氣相沉積方法。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其中該高密度等離子體化學氣相沉積的制作工藝參數包括：

沉積速率為5500?/分～6500?/分；及

濺射速率為700?/分～1000?/分。

14.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底；

柵極，在該基底上；及

含磷的介電層，在該柵極上，其中該含磷的介電層具有變化的磷摻雜質密度分布輪廓，

其中該含磷的介電層包括：

第一磷摻雜質密度區域，在該柵極上，并具有一頂點；

第二磷摻雜質密度區域，在該第一磷摻雜質密度區域上，并具有一另一頂點，其中定義在該第一磷摻雜質密度區域的該頂點與該第二磷摻雜質密度區域的該另一頂點之間的直線是偏離一垂直方向,?該第一磷摻雜質密度區域的磷摻雜質密度是高于與該第二磷摻雜質密度區域的磷摻雜質密度。

15.如權利要求14所述的半導體結構，其中該含磷的介電層具有類火焰輪廓部分或類花苞輪廓部分。

16.如權利要求14所述的半導體結構，其是以如權利要求1至13其中之一所述的半導體結構的形成方法形成。