[發明專利]準分子激光退火裝置、多晶硅薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201910556540.0
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN110265289B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 田雪雁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00;B23K26/067
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種準分子激光退火裝置、多晶硅薄膜的制備方法，涉及顯示技術領域，可提高多晶硅的結晶效果。一種準分子激光退火裝置，包括：激光器和脈沖延長模塊；所述脈沖延長模塊包括第一分光部件和傳輸組件；所述激光器用于發射激光束；所述第一分光部件用于接收來自所述激光器的激光束，將接收的來自所述激光器的激光束分為第一出射光和第一反射光，并將所述第一反射光射向所述傳輸組件，將所述第一出射光出射；所述傳輸組件用于接收所述第一反射光，并經所述傳輸組件傳輸后，經所述第一分光部件出射；其中，所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20％～40％。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種準分子激光退火裝置、多晶硅薄膜的制備方法。

背景技術

目前，多晶硅薄膜的制作方法主要包括：準分子激光退火(Excimer LaserAnnealing，簡稱ELA)、固相晶化(Solid Phase Crystallization，簡稱SPC)、金屬誘導晶化(Metal Induced Crystallization，簡稱MIC)等等。其中，準分子激光退火工藝是一種相對比較復雜的退火過程。對于多晶硅薄膜中，薄膜表面平坦性，晶粒尺寸及晶粒均勻性的控制一直是該技術領域中的研究熱點。

發明內容

本發明的實施例提供一種準分子激光退火裝置、多晶硅薄膜的制備方法，可提高多晶硅的結晶效果。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種準分子激光退火裝置，包括：激光器和脈沖延長模塊；所述脈沖延長模塊包括第一分光部件和傳輸組件；所述激光器用于發射激光束；所述第一分光部件用于接收來自所述激光器的激光束，將接收的來自所述激光器的激光束分為第一出射光和第一反射光，并將所述第一反射光射向所述傳輸組件，將所述第一出射光出射；所述傳輸組件用于接收所述第一反射光，并經所述傳輸組件傳輸后，經所述第一分光部件出射；其中，所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20％～40％。

可選的，所述脈沖延長模塊還包括第二分光部件、驅動部件和控制器；所述第二分光部件用于接收來自所述激光器的激光束，將接收的來自所述激光器的激光束分為第二出射光和第二反射光，并將所述第二反射光射向所述傳輸組件，將所述第二出射光出射；所述傳輸組件用于接收所述第二反射光，并經所述傳輸組件傳輸后，經所述第二分光部件出射；其中，所述第二反射光的激光能量占所述第二分光部件接收的激光束的激光能量的40％～60％；所述驅動部件與所述第一分光部件和所述第二分光部件相連；所述控制器用于控制所述驅動部件將所述第一分光部件和所述第二分光部件的其中一個移動至激光束的光路上，另一個移動至偏離激光束的光路的位置。

可選的，所述第一分光部件的分光系數為30％，所述第二分光部件的分光系數為50％。

可選的，所述脈沖延長模塊還包括調光部件，設置于所述脈沖延長模塊靠近所述激光器的出光側；所述調光部件用于對所述激光器發射的激光束的激光能量進行調節，使所述調光部件出射的激光束的激光能量小于所述激光器發射的激光束的激光能量；其中，位于激光束的光路上的所述第一分光部件或第二分光部件接收的來自所述激光器的激光束為所述調光部件輸出的激光束。