[發(fā)明專利]準分子激光退火裝置、多晶硅薄膜的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910556540.0
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN110265289B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田雪雁
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00;B23K26/067
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種準分子激光退火裝置，其特征在于，包括：激光器和脈沖延長模塊；所述脈沖延長模塊包括第一分光部件和傳輸組件；

所述激光器用于發(fā)射激光束；

所述第一分光部件用于接收來自所述激光器的激光束，將接收的來自所述激光器的激光束分為第一出射光和第一反射光，并將所述第一反射光射向所述傳輸組件，將所述第一出射光出射；所述傳輸組件用于接收所述第一反射光，并經(jīng)所述傳輸組件傳輸后，經(jīng)所述第一分光部件出射；

其中，所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20％～40％；

所述準分子激光退火裝置被配置為，對非晶硅樣品進行退火，得到多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括四方晶多晶硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準分子激光退火裝置，其特征在于，所述脈沖延長模塊還包括第二分光部件、驅(qū)動部件和控制器；

所述第二分光部件用于接收來自所述激光器的激光束，將接收的來自所述激光器的激光束分為第二出射光和第二反射光，并將所述第二反射光射向所述傳輸組件，將所述第二出射光出射；所述傳輸組件用于接收所述第二反射光，并經(jīng)所述傳輸組件傳輸后，經(jīng)所述第二分光部件出射；

其中，所述第二反射光的激光能量占所述第二分光部件接收的激光束的激光能量的40％～60％；

所述驅(qū)動部件與所述第一分光部件和所述第二分光部件相連；

所述控制器用于控制所述驅(qū)動部件將所述第一分光部件和所述第二分光部件的其中一個移動至激光束的光路上，另一個移動至偏離激光束的光路的位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的準分子激光退火裝置，其特征在于，所述第一分光部件的分光系數(shù)為30％，所述第二分光部件的分光系數(shù)為50％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準分子激光退火裝置，其特征在于，所述脈沖延長模塊還包括調(diào)光部件，設(shè)置于所述脈沖延長模塊靠近所述激光器的出光側(cè)；

所述調(diào)光部件用于對所述激光器發(fā)射的激光束的激光能量進行調(diào)節(jié)，使所述調(diào)光部件出射的激光束的激光能量小于所述激光器發(fā)射的激光束的激光能量；

其中，位于激光束的光路上的所述第一分光部件或第二分光部件接收的來自所述激光器的激光束為所述調(diào)光部件輸出的激光束。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的準分子激光退火裝置，其特征在于，所述傳輸組件包括第一反射部件、第二反射部件、第三反射部件、第四反射部件；所述第一反射部件和所述第三反射部件位于激光束的光路的一側(cè)，所述第二反射部件和所述第四反射部件位于激光束的光路的另一側(cè)；

在所述第一分光部件位于激光束的光路上的情況下，所述第一反射部件用于接收從所述第一分光部件分出的第一反射光，并將所述第一反射光向所述第二反射部件；

所述第二反射部件用于將經(jīng)過所述第一反射部件的所述第一反射光射向所述第三反射部件；

所述第三反射部件用于將經(jīng)過所述第二反射部件的所述第一反射光射向所述第四反射部件；

所述第四反射部件用于將經(jīng)過所述第三反射部件的所述第一反射光射向所述第一分光部件；

或者，

在第二分光部件位于激光束的光路上的情況下，所述第一反射部件用于接收從所述第二分光部件分出的第二反射光，并將所述第二反射光射向所述第二反射部件；

所述第二反射部件用于將經(jīng)過所述第一反射部件的所述第二反射光射向所述第三反射部件；

所述第三反射部件用于將經(jīng)過所述第二反射部件的所述第二反射光射向所述第四反射部件；

所述第四反射部件用于將經(jīng)過所述第三反射部件的所述第二反射光射向所述第二分光部件。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的準分子激光退火裝置，其特征在于，所述驅(qū)動部件的個數(shù)為一個。

7.一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成非晶硅薄膜，并進行加熱處理；

采用權(quán)利要求1-6任一項所述的準分子激光退火裝置，對所述非晶硅薄膜進行退火，形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括四方晶多晶硅。