[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201910555984.2
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN112133633A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有鰭部；

所述鰭部包括切割區鰭部和非切割區鰭部；

在所述襯底上形成偽柵結構，所述偽柵結構橫跨所述鰭部；

去除所述偽柵結構未覆蓋的所述切割區鰭部。

2.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述偽柵結構的步驟包括：

在所述襯底上形成初始偽柵結構，所述初始偽柵結構橫跨所述鰭部；

在所述初始偽柵結構上形成分立排布的芯層；

在所述芯層的側壁上形成犧牲側墻；

以所述犧牲側墻和所述芯層為掩膜，刻蝕所述犧牲側墻兩側的所述初始偽柵結構，直至暴露出所述切割區鰭部和部分所述非切割區鰭部。

3.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述偽柵結構未覆蓋的所述切割區鰭部之后，還包括：

去除所述芯層以及所述芯層覆蓋的所述偽柵結構，直至暴露出所述非切割區鰭部，形成第一偽柵結構和第二偽柵結構；

去除所述犧牲側墻。

4.如權利要求3所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述非切割區鰭部上的所述第一偽柵結構形成上拉晶體管。

5.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述偽柵結構未覆蓋的所述切割區鰭部之前，還包括：在暴露出的部分所述非切割區鰭部上、所述芯層上以及所述犧牲側墻上形成光刻膠層，所述光刻膠層的開口暴露出所述切割區鰭部。

6.如權利要求5所述半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述偽柵結構未覆蓋的所述切割區鰭部之后，采用灰化或者刻蝕工藝去除所述光刻膠層。

7.如權利要求3所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述芯層的材料包括無定形硅、無定形碳、氮化硅、氧化硅中的一種或多種。

8.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述初始偽柵結構上形成分立排布的芯層之前，還包括形成硬掩膜層，所述硬掩膜層位于所述初始偽柵結構的表面上。

9.如權利要求3所述半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述芯層以及所述芯層覆蓋的所述偽柵結構，直至暴露出所述非切割區鰭部，形成第一偽柵結構和第二偽柵結構之前，還包括：在暴露出的部分所述非切割區鰭部上以及襯底上形成底部抗反射層。

10.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法或者原子層沉積法或物理氣相沉積法形成所述芯層的材料。

11.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲側墻的材料包括氮化硅、碳化硅、氧化硅、碳氮化硅中的一種或多種。

12.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕法或者干法刻蝕法去除所述偽柵結構未覆蓋的所述切割區鰭部。