[發明專利]用于清潔靜電吸盤的工具與方法有效
| 申請號: | 201910553631.9 | 申請日: | 2019-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN110813918B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 楊岳霖;廖啟宏 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | B08B5/04 | 分類號: | B08B5/04;B08B7/00;B08B7/02;B08B13/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 清潔 靜電 吸盤 工具 方法 | ||
一種用于清潔靜電吸盤的工具及方法。方法包含傳送輻射至靜電吸盤、接收輻射的反射、分析輻射的反射、基于分析輻射的反射來判定靜電吸盤上是否存在顆粒以及當判定顆粒存在時將清潔工具移動至靜電吸盤上顆粒的位置。
技術領域
本揭露是有關用于清潔的工具及方法,且特別是有關用于清潔靜電吸盤的工具及方法。
背景技術
迄今半導體集成電路(integrated circuit,IC)工業已經歷了指數式增長。集成電路中材料和設計的技術進步已經產生了多代集成電路,其中每一代集成電路皆具有比上一代更小和更復雜的電路配置。然而,透過半導體光刻制程圖案化的最小特征尺寸是基本上受到投射輻射源的波長的限制。為了使特征尺寸改善得比以往更小,半導體產業已經引入了極紫外線(extreme ultraviolet,EUV)輻射源和相關的半導體光刻制程。在極紫外線半導體光刻制程期間,靜電吸盤(electrostatic chuck,也稱之為R-chuck、E-chuck或ESC)被配置以透過靜電力保持一反射型光罩,使得極紫外線半導體光刻制程可以將反射型光罩上的圖案光學地轉印到晶圓上。
發明內容
根據本揭露的一或多種實施方式,本揭露提供一種方法包含傳送輻射至靜電吸盤、接收輻射的反射、分析輻射的反射、基于分析輻射的反射來判定靜電吸盤上是否存在顆粒以及當判定顆粒存在時將清潔工具移動到靜電吸盤上顆粒的位置。
根據本揭露的一或多種實施方式,本揭露提供一種方法包含使清潔工具的平臺移向靜電吸盤、使用清潔工具的平臺以從靜電吸盤釋放顆粒以及在從靜電吸盤釋放顆粒后使用與排氣管道氣體連通的真空源將顆粒從平臺上方吸入圍繞平臺的排氣管道中。
根據本揭露的一或多種實施方式,本揭露提供一種清潔工具包含可旋轉平臺、馬達、殼體以及真空源。可旋轉平臺具有側壁和頂表面。馬達配置以致動可旋轉平臺的三維運動。殼體圍繞可旋轉平臺并且不覆蓋可旋轉平臺的頂表面。殼體和可旋轉平臺的側壁定義出圍繞可旋轉平臺的排氣管道。真空源連接至排氣管道。
附圖說明
當結合附圖閱讀時,從以下詳細描述中可以最好地理解本公開的各方面。應注意,根據工業中的標準實踐,各種特征未按比例繪制。實際上,為了清楚討論,可以任意增加或減少各種特征的尺寸。
圖1為繪示根據本揭露的一些實施例中靜電吸盤清潔工具的正視示意圖;
圖2A和圖3A為繪示根據本揭露的一些實施例中靜電吸盤清潔工具的光學檢查儀器的示意圖;
圖2B和3B分別為根據圖2A和圖3A所描繪的折線圖;
圖4至圖6為繪示根據本揭露的一些其他實施例中靜電吸盤清潔工具的正視示意圖;
圖7A至圖7C為繪示根據本揭露的一些實施例中靜電吸盤清潔工具的各種清潔路徑的示意圖;
圖8為繪示根據本揭露的一些實施例中用于清潔靜電吸盤上的顆粒的方法流程圖;
圖9為圖8中的操作S10b的流程圖;
圖10為繪示根據本揭露的一些其他實施例中用于清潔靜電吸盤上的顆粒的方法流程圖。
【符號說明】
CN:通道
D1:間隔距離
DR:虛設光罩
ESC:靜電吸盤
P:顆粒
P1、P2、P3:清潔路徑
PT:凸起
S10a-S10f、S11b-S15b、S20a-S20f:操作
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910553631.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種砂漿基材及其制作方法
- 下一篇:熱交換器





