[發(fā)明專(zhuān)利]自動(dòng)降籽晶過(guò)程中自動(dòng)定位至原生籽晶處終止下降的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910550109.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110257903A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王鑫;皇甫亞楠;楊志;周澤;王建平;王林;徐強(qiáng);高潤(rùn)飛;谷守偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古中環(huán)協(xié)鑫光伏材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C30B15/20 | 分類(lèi)號(hào): | C30B15/20;C30B15/26;C30B15/30;C30B29/06 |
| 代理公司: | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國(guó)省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 籽晶 硅溶液 熔接 自動(dòng)定位 籽晶處 測(cè)量裝置 工業(yè)相機(jī) 工作效率 極限位置 液面接觸 液面處 慢速 測(cè)量 檢測(cè) 節(jié)約 | ||
本發(fā)明提供一種自動(dòng)降籽晶過(guò)程中自動(dòng)定位至原生籽晶處終止下降的方法,包括以下步驟,S1:籽晶快速降至硅溶液上方的極限位置;S2:籽晶慢速降至硅溶液液面處,籽晶與硅溶液液面接觸;S3:測(cè)量裝置測(cè)量籽晶的熔接直徑,當(dāng)熔接直徑達(dá)到下限值時(shí),停止下降。本發(fā)明的有益效果是采用工業(yè)相機(jī)時(shí)時(shí)對(duì)籽晶的熔接直徑進(jìn)行檢測(cè),根據(jù)籽晶的熔接直徑進(jìn)行下降,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)將籽晶降到硅溶液中,自動(dòng)定位至原生籽晶處,可以極大的提高工作效率以及工作一致性,可以起到節(jié)約工時(shí)、降低成本的作用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于直拉單晶技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種自動(dòng)降籽晶過(guò)程中自動(dòng)定位至原生籽晶處終止下降的方法。
背景技術(shù)
目前已知的技術(shù)是可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)下降籽晶至液面方法,無(wú)法做到自動(dòng)將籽晶降至原生籽晶接觸液面處,目前技術(shù)是選擇降籽晶后,系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)下降籽晶,但是無(wú)法將籽晶自動(dòng)降至液面中,無(wú)法自動(dòng)將籽晶降至原生籽晶處,只能實(shí)現(xiàn)一部分自動(dòng)化功能,只能自動(dòng)將籽晶下降至液面上方,如果操作人員工作集中時(shí),無(wú)暇操作本次穩(wěn)溫,那么會(huì)出現(xiàn)工時(shí)浪費(fèi)的情況。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明要解決的問(wèn)題是提供一種自動(dòng)降籽晶過(guò)程中自動(dòng)定位至原生籽晶處終止下降的方法,尤其適合籽晶下降過(guò)程中使用,能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)降籽晶降到硅溶液中,不需人工操作,節(jié)約工時(shí),降低成本。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:自動(dòng)降籽晶過(guò)程中自動(dòng)定位至原生籽晶處終止下降的方法,包括以下步驟,
S1:籽晶快速降至硅溶液上方的極限位置;
S2:籽晶慢速降至硅溶液液面處,籽晶與硅溶液液面接觸;
S3:測(cè)量裝置測(cè)量籽晶的熔接直徑,當(dāng)熔接直徑達(dá)到下限值時(shí),停止下降。
進(jìn)一步的,步驟S3具體為,
當(dāng)籽晶與硅溶液液面接觸時(shí),測(cè)量裝置開(kāi)始測(cè)量籽晶的熔接直徑,并根據(jù)測(cè)量的熔接直徑,進(jìn)行下降距離的選擇,根據(jù)下降距離進(jìn)行下降;
當(dāng)籽晶的熔接直徑達(dá)到第一直徑時(shí),進(jìn)行第一下降距離的選擇,根據(jù)第一下降距離,進(jìn)行下降;以及
重復(fù)上述步驟,直至籽晶的熔接直徑達(dá)到下限值時(shí),停止下降。
進(jìn)一步的,步驟S1中的極限位置為籽晶快速下降的最低距離,極限位置為200-260mm。
進(jìn)一步的,步驟S2中慢速下降為以恒定的速度下降,恒定的速度為400-600mm/hr。
進(jìn)一步的,步驟S3籽晶的熔接直徑變化范圍為5-15mm。
進(jìn)一步的,步驟S3中籽晶的下降距離變化范圍為70-0mm。
進(jìn)一步的,籽晶的熔接直徑下限值為10-16mm。
進(jìn)一步的,步驟S3中籽晶以恒定速度下降。
一種自動(dòng)降籽晶過(guò)程中自動(dòng)定位至原生籽晶處終止下降的系統(tǒng),包括控制裝置、測(cè)量裝置、籽晶夾具、籽晶電壓測(cè)量裝置和旋轉(zhuǎn)提升裝置,
測(cè)量裝置用于測(cè)量籽晶的直徑,測(cè)量裝置設(shè)于單晶爐上;
旋轉(zhuǎn)提升裝置與控制裝置電連接,旋轉(zhuǎn)提升裝置與籽晶夾具連接,籽晶夾具用于夾持籽晶,旋轉(zhuǎn)提升裝置用于帶動(dòng)籽晶進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行上升和下降;
籽晶電壓測(cè)量裝置與控制裝置電連接,籽晶電壓測(cè)量裝置用于測(cè)量籽晶的電壓變化,用于判斷籽晶是否與硅溶液的液面接觸;
控制裝置用于控制旋轉(zhuǎn)提升裝置、籽晶電壓測(cè)量裝置與測(cè)量裝置的動(dòng)作。
進(jìn)一步的,測(cè)量裝置為CCD工業(yè)相機(jī),籽晶電壓測(cè)量裝置為電壓傳感器。
本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:
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