[發明專利]自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法

在審

• 申請號: 201910550109.5
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110257903A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 王鑫;皇甫亞楠;楊志;周澤;王建平;王林;徐強;高潤飛;谷守偉
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環協鑫光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B15/26;C30B15/30;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：包括以下步驟，

S1：籽晶快速降至硅溶液上方的極限位置；

S2：所述籽晶慢速降至所述硅溶液液面處，所述籽晶與所述硅溶液液面接觸；

S3：測量裝置測量所述籽晶的熔接直徑，當所述熔接直徑達到下限值時，停止下降。

2.根據權利要求1所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述步驟S3具體為，

當所述籽晶與所述硅溶液液面接觸時，所述測量裝置開始測量所述籽晶的熔接直徑，并根據測量的熔接直徑，進行下降距離的選擇，根據所述下降距離進行下降；

當所述籽晶的熔接直徑達到第一直徑時，進行第一下降距離的選擇，根據所述第一下降距離，進行下降；以及

重復上述步驟，直至所述籽晶的熔接直徑達到所述下限值時，停止下降。

3.根據權利要求1或2所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述步驟S1中的所述極限位置為所述籽晶快速下降的最低距離，所述極限位置為200-260mm。

4.根據權利要求3所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述步驟S2中慢速下降為以恒定的速度下降，所述恒定的速度為400-600mm/hr。

5.根據權利要求4所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：步驟S3籽晶的熔接直徑變化范圍為5-15mm。

6.根據權利要求5所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述步驟S3中籽晶的下降距離變化范圍為70-0mm。

7.根據權利要求4-6任一項所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述籽晶的熔接直徑下限值為10-16mm。

8.根據權利要求7所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述步驟S3中所述籽晶以恒定速度下降。

9.一種自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的系統，其特征在于：包括控制裝置、測量裝置、籽晶夾具、籽晶電壓測量裝置和旋轉提升裝置，

所述測量裝置用于測量籽晶的直徑，所述測量裝置設于單晶爐上；

所述旋轉提升裝置與所述控制裝置電連接，所述旋轉提升裝置與所述籽晶夾具連接，所述籽晶夾具用于夾持所述籽晶，所述旋轉提升裝置用于帶動籽晶進行旋轉的同時進行上升和下降；

所述籽晶電壓測量裝置與所述控制裝置電連接，所述籽晶電壓測量裝置用于測量所述籽晶的電壓變化，用于判斷所述籽晶是否與所述硅溶液的液面接觸；

所述控制裝置用于控制所述旋轉提升裝置、所述籽晶電壓測量裝置與所述測量裝置的動作。

10.根據權利要求9所述的自動降籽晶過程中自動定位至原生籽晶處終止下降的方法，其特征在于：所述測量裝置為CCD工業相機，所述籽晶電壓測量裝置為電壓傳感器。