[發明專利]電磁波屏蔽件以及應用電磁波屏蔽件的傳輸線組件

在審

• 申請號: 201910549872.6
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN112135502A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 方皓葦;錢明谷;吳家鈺
• 申請（專利權）人: 禾達材料科技股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H01B7/17;H01B7/08;H01B11/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉彬

本發明公開一種電磁波屏蔽件以及應用電磁波屏蔽件的傳輸線組件。電磁波屏蔽件包括一量子阱結構，量子阱結構包括兩層阻擋層以及位于兩層阻擋層之間的至少一個載流子限制層。兩層阻擋層中的至少其中一個為復合材料層，且復合材料層包括一基材以及埋入基材內的多個量子點。本發明提供的電磁波屏蔽件可減少電磁波噪聲對信號傳輸線所造成的串擾。

技術領域

本發明涉及一種電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件，特別是涉及一種可在信號傳輸時有效抑制串擾的電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件。

背景技術

近年來，隨著電子產品朝向輕薄短小的趨勢發展，高頻與高速的信號傳輸需求，電子產品內的各個芯片(如：無線通信芯片)之間，以及應用于傳輸高頻信號的纜線內部的傳輸導線的配置也越來越密集。

據此，芯片所產生的電磁波很容易對其他芯片造成電磁干擾。相似地，當高頻以及低頻信號通過纜線內部的傳輸線傳遞時，兩相鄰的傳輸線之間很容易因為電磁波的耦合或者漫射而相互串擾(Crosstalk)。在現有技術手段中，通常會將金屬屏蔽層覆蓋于芯片外部或者是覆蓋在用以傳輸信號的纜線，以防止電磁干擾。

然而，金屬屏蔽層無法吸收頻率1GHz以上高頻電磁波，而仍有可能干擾其他傳輸線所傳輸的信號。據此，如何屏蔽高頻電磁波，以減少信號傳輸的噪聲，仍為本領域技術人員努力的方向。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種電磁波屏蔽件，以減少電磁波噪聲對信號傳輸線所造成的串擾。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種電磁波屏蔽件，其包括一量子阱結構。量子阱結構包括兩層阻擋層以及位于兩層阻擋層之間的至少一載流子限制層。兩層阻擋層中的至少其中一個為復合材料層，且復合材料層包括一基材以及埋入所述基材內的多個量子點。

更進一步地，基材的能隙寬度小于所述量子點的材料的能隙寬度。另外，基材為非化學計量比化合物，且具有多個陰離子空缺。

更進一步地，量子點的材料選擇由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半導體所組成的群組中的其中一種。

更進一步地，載流子限制層的材料為半導體、金屬、合金或其任意組合。

更進一步地，電磁波屏蔽件還進一步包括：一電子傳輸結構，其設置于量子阱結構的其中一側，電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。

更進一步地，電子傳輸結構包括一第一層以及位于第一層以及量子阱結構之間的一第二層，第一層或者第二層的至少其中一個為一復合導電層，復合導電層包括一導電部分以及一絕緣部分，導電部分與絕緣部分在一水平方向上交錯分布。

更進一步地，阻擋層的厚度大于載流子限制層的厚度。

更進一步地，量子阱結構為多重量子阱結構，量子阱結構包括交替堆疊的多個阻擋層以及多個載流子限制層，且位于最外側的其中一阻擋層為復合材料層。

更進一步地，兩層阻擋層都是復合材料層，且兩層復合材料層分別具有不同材料的基材。

更進一步地，兩層阻擋層都是復合材料層，且兩層復合材料層分別具有不同材料的量子點。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種傳輸線組件，其包括一導線組以及一電磁波屏蔽件。導線組包括至少一導線以及包覆導線的一絕緣層。電磁波屏蔽件設置在導線組上，且電磁波屏蔽件包括一量子阱結構。量子阱結構包括兩層阻擋層以及位于兩層阻擋層之間的至少一載流子限制層。兩層阻擋層中的至少其中一個為復合材料層，且復合材料層包括一基材以及埋入基材內的多個量子點。

更進一步地，基材為導電材料，量子點的材料為絕緣材料。

更進一步地，基材的能隙寬度小于量子點的材料的能隙寬度。