[發明專利]電磁波屏蔽件以及應用電磁波屏蔽件的傳輸線組件

在審

• 申請號: 201910549872.6
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN112135502A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 方皓葦;錢明谷;吳家鈺
• 申請（專利權）人: 禾達材料科技股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H01B7/17;H01B7/08;H01B11/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉彬

1.一種電磁波屏蔽件，其特征在于，所述電磁波屏蔽件包括一量子阱結構，所述量子阱結構包括兩層阻擋層以及位于兩層所述阻擋層之間的至少一載流子限制層，其中，兩層所述阻擋層中的至少其中一個為復合材料層，且所述復合材料層包括一基材以及埋入所述基材內的多個量子點。

2.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述基材的能隙寬度小于所述量子點的材料的能隙寬度。

3.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述基材為非化學計量比化合物，且具有多個陰離子空缺。

4.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子點的材料選擇由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半導體所組成的群組中的其中一種。

5.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述載流子限制層的材料選擇由半導體、金屬、合金所組成的群組中的其中一種。

6.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述電磁波屏蔽件還進一步包括：一電子傳輸結構，設置于所述量子阱結構的其中一側，所述電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。

7.如權利要求6所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述電子傳輸結構包括一第一層以及位于所述第一層以及所述量子阱結構之間的一第二層，所述第一層或者所述第二層的至少其中一個為一復合導電層，所述復合導電層包括一導電部分以及一絕緣部分，所述導電部分與所述絕緣部分在一水平方向上交錯分布。

8.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述阻擋層的厚度大于所述載流子限制層的厚度。

9.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子阱結構為多重量子阱結構，所述量子阱結構包括交替堆疊的多個所述阻擋層以及多個所述載流子限制層，且位于最外側的其中一所述阻擋層為復合材料層。

10.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，兩層所述阻擋層都是所述復合材料層，且兩層所述復合材料層分別具有不同材料的基材。

11.如權利要求1所述的電磁波屏蔽件，其特征在于，兩層所述阻擋層都是所述復合材料層，且兩層所述復合材料層分別具有不同材料的量子點。

12.一種傳輸線組件，其特征在于，所述傳輸線組件包括：

一導線組，包括至少一導線以及包覆所述導線的一絕緣層；以及

一電磁波屏蔽件，設置在所述導線組上，且所述電磁波屏蔽件包括一量子阱結構，其中，所述量子阱結構包括兩層阻擋層以及位于兩層所述阻擋層之間的至少一載流子限制層，其中，兩層所述阻擋層中的至少其中一個為復合材料層，且所述復合材料層包括一基材以及埋入所述基材內的多個量子點。

13.如權利要求12所述的傳輸線組件，其特征在于，所述基材為導電材料，所述量子點的材料為絕緣材料。

14.如權利要求12所述的傳輸線組件，其特征在于，所述基材的能隙寬度小于所述量子點的材料的能隙寬度。

15.如權利要求12所述的傳輸線組件，其特征在于，所述量子點的材料選擇由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半導體所組成的群組中的其中一種。

16.如權利要求12所述的傳輸線組件，其特征在于，所述傳輸線組件還進一步包括：一電子傳輸結構，位于所述量子阱結構以及所述導線組之間，其中，所述電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。