[發(fā)明專利]密封用片和電子元件裝置的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910548982.0
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110660748A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 大原康路;土生剛志;清水祐作;飯野智繪
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 曹陽

1.一種密封用片，其特征在于，被用于形成密封層，所述密封層將被安裝于基板的厚度方向的一個面的電子元件密封，

所述密封用片的90℃的粘度為5kPa以上，

所述密封用片的由下述密封試驗測定的最大長度L為150μm以下，

密封試驗：

在玻璃制的試驗基板的厚度方向的一個面配置試驗元件，所述試驗元件是與所述厚度方向正交的第一方向、以及與所述厚度方向和所述第一方向正交的第二方向各自的長度為10mm、厚度為400μm的矩形，

在25℃、1330Pa的條件下，按照與所述試驗元件在所述厚度方向上重疊的方式，使所述第一方向和所述第二方向各自的長度為20μm、厚度為260μm的矩形的所述密封用片以2MPa對所述試驗元件加壓60秒而緊密貼合，

之后，將所述密封用片在150℃加熱1小時，形成所述密封層，

由所述試驗元件的所述第一方向和所述第二方向中至少任意一個方向上的至少1個端面、所述試驗基板的所述厚度方向的一個面、以及與所述端面和所述厚度方向的一個面相面對的所述密封層的厚度方向的另一個面劃分而形成試驗空隙，測定所述試驗空隙中的所述一個方向的最大長度L。

2.根據(jù)權利要求1所述密封用片，其特征在于，90℃的粘度為200kPa以下。

3.根據(jù)權利要求1所述密封用片，其特征在于，所述密封層的線膨脹系數(shù)為20ppm以下。

4.根據(jù)權利要求1所述密封用片，其特征在于，含有80質量％以上的無機填料。

5.根據(jù)權利要求1所述密封用片，其特征在于，含有2質量％以上的選自雙酚A型環(huán)氧樹脂和雙酚F型環(huán)氧樹脂中的至少任意一種2官能環(huán)氧樹脂。

6.一種電子元件裝置的制造方法，其特征在于，具備：將權利要求1所述密封用片按壓于所述電子元件并進行加熱，由此形成將所述電子元件密封的所述密封層的工序。